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FDPF18N20FT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-FDPF18N20FT TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDPF18N20FT

FDPF18N20FT概述

    FDPF18N20FT-VB N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDPF18N20FT-VB 是一款高性能的N沟道功率场效应晶体管(N-Channel MOSFET),主要用于高压应用场合。该器件具备多种封装形式,包括表面贴装和低轮廓通孔封装,适用于广泛的工业及消费电子产品。它符合RoHS指令(2002/95/EC)及卤素免费标准(IEC 61249-2-21),满足环保要求。这款MOSFET广泛应用于电源管理、电动车辆驱动、焊接设备以及其他需要高可靠性开关控制的应用中。

    技术参数


    - 关键规格
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 200V
    - 门限电压 \(V{GS(th)}\): 2.0V 至 4.0V
    - 源漏导通电阻 \(R{DS(on)}\): 0.058Ω (V{GS} = 10V)
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 64nC (最大值)
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\): 300ns 至 610ns
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 200V
    - 门限电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 20A (TC = 25°C), 14A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 72A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 580mJ
    - 重复雪崩能量 \(E{AR}\): 13mJ
    - 工作环境
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 绿色环保: 符合RoHS指令和卤素免费标准,有助于减少环境污染。
    - 低损耗: 导通电阻低,使得能耗更低,提高效率。
    - 快速切换: 高速开关特性使其适用于高频电路设计。
    - 全雪崩等级: 在极端条件下依然能够保持可靠性能。
    - 适合高电压应用: 能够承受高达200V的漏源电压,适用于高压电路。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 电源管理电路、电动车辆驱动、焊接设备。
    - 使用建议: 在设计电源转换器时,考虑其散热能力;在高频电路中应用时,需注意寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 支持多种封装形式,如表面贴装和低轮廓通孔封装。
    - 厂商支持: 提供详细的Datasheet和技术支持,包括安装指导和故障排除建议。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 漏电流过大。
    - 解决方法: 检查门限电压是否设置正确,确保漏源电压在规定范围内。
    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方法: 检查门极电阻,调整至适当值以提升开关速度。
    - 问题: 过热问题。
    - 解决方法: 确保良好的散热措施,必要时增加散热片。

    总结和推荐


    综上所述,FDPF18N20FT-VB N-Channel MOSFET 是一款性能优异、绿色环保且高度可靠的器件。它具有低损耗、快速切换和高可靠性等特点,在多种应用场景中表现出色。强烈推荐在电源管理、电动车辆和其他需要高压控制的应用中使用此器件。

FDPF18N20FT参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 42W
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Rds(On)-漏源导通电阻 0.065Ω@VGS = 10 V,ID = 11 A(typ)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDPF18N20FT厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDPF18N20FT数据手册

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FDPF18N20FT封装设计

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