处理中...

首页  >  产品百科  >  QM3006S

QM3006S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 30V 18A 3mΩ@10V SO-8
供应商型号: 14M-QM3006S SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM3006S

QM3006S概述

    QM3006S-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    QM3006S-VB 是一款 N-Channel 30V(漏源)MOSFET。它被设计用于高侧同步整流操作,具有低导通电阻和优化的开关性能。QM3006S-VB 主要应用于笔记本电脑CPU的核心高侧开关等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 \( V{DS} \) | - | 30 | - | V |
    | 栅源电压 \( V{GS} \) | -20 | - | +20 | V |
    | 漏极连续电流 \( ID \)(\( TJ \) = 150°C) | - | 18 | - | A |
    | 漏极脉冲电流 \( I{DM} \) | - | 50 | - | A |
    | 开启状态漏源电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} \) = 10V) | - | 0.004 | - | Ω |
    | 开启状态漏源电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} \) = 4.5V) | - | 0.005 | - | Ω |
    | 门电荷 \( Qg \)(典型值) | - | 6.8 | 10.2 | nC |
    | 输入电容 \( C{iss} \) | - | 820 | - | pF |
    | 反向传输电容 \( C{rss} \) | - | 73 | - | pF |

    产品特点和优势


    1. 无卤素设计:确保环保且适用于现代电子设备。
    2. 沟槽MOSFET技术:提供高效能和稳定的性能。
    3. 高侧同步整流优化:适合用于高效率电源管理。
    4. 100%测试:保证每个器件都经过严格的栅极电阻和雪崩耐受性测试,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    QM3006S-VB 常用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关。对于实际应用,我们建议以下几点:
    1. 散热管理:由于其较高的功率损耗,必须采取有效的散热措施,例如使用散热片或散热器。
    2. 电路布局:考虑其较大的门电荷,选择合适的驱动电路以减少开关损耗。
    3. 电压保护:为避免电压过高,可以在电路中添加保护二极管或其他保护电路。

    兼容性和支持


    QM3006S-VB 采用SO-8封装,适用于标准的表面贴装技术。制造商提供详细的技术支持和文档,以帮助客户进行设计和调试。此外,还提供了关于RoHS合规性和无卤素材料的信息,确保其符合国际环保标准。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:确保使用适当的散热方案,并检查电路中的功率耗散是否正常。
    2. 开关损耗高:优化驱动电路和电路布局,减少寄生电容的影响。
    3. 栅极驱动不足:确认栅极驱动电压达到额定值,并检查驱动电路的连接是否正确。

    总结和推荐


    QM3006S-VB是一款高性能、高可靠性、无卤素的N-Channel MOSFET,非常适合用于高效率电源管理和高侧开关应用。其独特的无卤素设计和优化的开关性能使其在市场上具有显著的竞争优势。虽然在使用过程中需要注意散热和电路布局的问题,但只要遵循以上建议,QM3006S-VB 将是您项目中的理想选择。因此,强烈推荐使用QM3006S-VB。

QM3006S参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM3006S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM3006S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM3006S QM3006S数据手册

QM3006S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.013
库存: 200
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.06
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336