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20N06L TO-252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V);TO252
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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 20N06L TO-252

20N06L TO-252概述


    产品简介


    20N06L-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道增强型功率MOSFET(场效应晶体管),具有卓越的性能和可靠性。这款产品采用TO-252封装,适用于多种高电流应用,如电源转换器、逆变器和电机驱动等。它具备较低的导通电阻(rDS(on))和高耐压能力,使其成为高效能电力电子应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本特性
    - 类型:TrenchFET® 功率MOSFET
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 最大栅源电压:±20V
    - 额定输出电流(连续):25A(TC = 25°C)
    - 最大耗散功率:100W(TC = 25°C)
    - 关键参数
    - 导通电阻:
    - VGS = 10V 时:0.025Ω
    - VGS = 4.5V 时:0.030Ω
    - 击穿电压:60V
    - 门槛电压:1.0V 至 3.0V
    - 零栅极电压漏电流:1µA
    - 单次雪崩能量:20mJ
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻:18°C/W(动态)
    - 最大结到外壳热阻:3.2°C/W(静态)

    产品特点和优势


    20N06L-VB 采用了先进的 TrenchFET® 技术,这使得其具备非常低的导通电阻(0.025Ω@10V VGS)和出色的高温性能(最大结温175°C)。此外,其较低的开关损耗和较高的电流承载能力使其非常适合用于高效率的电力转换应用。与传统MOSFET相比,它拥有更低的功耗,能够在更广泛的温度范围内稳定运行。

    应用案例和使用建议


    20N06L-VB 广泛应用于各种电力电子设备,如直流-直流转换器、电池充电器和电机驱动系统。这些应用中,MOSFET需要处理高电流和高电压。例如,在电池充电器中,MOSFET通常需要处理数十安培的电流,并且能够承受瞬间的高电流脉冲。在设计此类电路时,确保散热设计合理是至关重要的,以防止过热导致器件损坏。

    兼容性和支持


    20N06L-VB 与市面上常见的TO-252封装的器件兼容,方便进行替换。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的用户手册和应用指南。如果您在使用过程中遇到任何问题,可以随时联系VBsemi的服务热线(400-655-8788)获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流应用中,器件发热严重。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用足够大的散热片或者散热器,以提高散热效果。也可以考虑使用更高散热效率的封装形式,如TO-220。
    - 问题:器件出现间歇性故障。
    - 解决方案: 检查输入电压和电流是否稳定。确保栅极驱动信号无噪声干扰,并检查焊接点是否牢固。

    总结和推荐


    20N06L-VB是一款具有出色性能和高可靠性的N沟道MOSFET。其低导通电阻和高工作温度范围使其成为众多高电流应用的理想选择。尽管其价格略高于同类产品,但其优异的性能和可靠性使其成为市场上的有力竞争者。综上所述,强烈推荐20N06L-VB用于需要高效率和高可靠性电力电子应用的设计。

20N06L TO-252参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

20N06L TO-252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

20N06L TO-252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 20N06L TO-252 20N06L TO-252数据手册

20N06L TO-252封装设计

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