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UTM4052L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-UTM4052L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTM4052L

UTM4052L概述

    UTM4052L-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UTM4052L-VB 是一款 N-Channel 和 P-Channel 结合的 60V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于诸如CCFL逆变器等应用。这种类型的MOSFET广泛用于电力转换和控制系统中,特别是在需要高效率和低损耗的应用中。

    2. 技术参数


    UTM4052L-VB 具备以下技术规格和性能参数:
    - 电气特性:
    - 漏源电压(VDS):±60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(TJ = 150°C):
    - N-Channel:5.3A(TA = 25°C),4.3A(TA = 70°C)
    - P-Channel:0.9A(TA = 25°C),-4.2A(TA = 70°C)
    - 脉冲漏电流(10μs脉冲宽度):
    - N-Channel:-4.0A(TA = 25°C),-3.4A(TA = 70°C)
    - P-Channel:-4.0A(TA = 25°C),-3.4A(TA = 70°C)
    - 最大功率耗散(TA = 25°C):
    - N-Channel:3.1W
    - P-Channel:3.4W
    - 最大温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻:
    - N-Channel:RthJA最大为62.5°C/W,RthJF最大为40°C/W
    - P-Channel:RthJA最大为62.5°C/W,RthJF最大为37°C/W
    - 电气特性参数:
    - 阈值电压(VGS(th)):N-Channel 1V至3V,P-Channel -1V至-3V
    - 零栅极电压漏电流(IDSS):N-Channel ≤1μA,P-Channel ≤1μA
    - 动态参数:
    - 导通延迟时间(d(on)):N-Channel 15ns至25ns,P-Channel 30ns至45ns
    - 关断延迟时间(td(off)):N-Channel 15ns至25ns,P-Channel 40ns至60ns

    3. 产品特点和优势


    UTM4052L-VB MOSFET 的主要特点和优势如下:
    - 高可靠性:100%的Rg和UIS测试确保了产品的质量和可靠性。
    - 环保:根据IEC 61249-2-21标准,符合无卤素要求。
    - 高效率:具备极低的导通电阻(RDS(on)),在不同栅源电压下的典型值分别为0.026Ω(VGS = 10V)和0.055Ω(VGS = -10V)。
    - 快速开关特性:具有出色的动态特性,例如极短的导通延迟时间和关断延迟时间。
    - 适用性广:适合多种应用,包括CCFL逆变器等。

    4. 应用案例和使用建议


    UTM4052L-VB MOSFET 广泛应用于多种设备中,如:
    - CCFL逆变器:用于荧光灯的逆变器电路中。
    - 电源管理:在高效率电源管理系统中作为开关元件。
    - 电机驱动:适用于电机控制和驱动系统。
    在实际应用中,应注意:
    - 在设计电路时,应充分考虑散热问题,以确保器件在安全温度范围内运行。
    - 根据具体的应用需求,选择合适的栅源电压以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UTM4052L-VB 与常见的电路设计兼容,能够与其他常用的MOSFET配合使用。
    - 支持和服务:由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.提供技术支持和维护服务。如有任何疑问或需要进一步的帮助,可以联系他们的服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流情况下,器件出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用更大的散热片或外接散热风扇,确保器件工作在安全温度范围内。
    - 问题:开关过程中出现高频噪声。
    - 解决方案:在电路设计时加入滤波电容,减少高频干扰的影响。

    7. 总结和推荐


    UTM4052L-VB MOSFET是一款性能优异且可靠的产品,特别适合于要求高效率和紧凑设计的应用场合。它具有高可靠性、快速开关特性和广泛的适用性。因此,强烈推荐在设计相关应用时考虑使用该产品。如果您对这款产品感兴趣或需要进一步的技术咨询,请联系台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 客户支持团队。

UTM4052L参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 10V,50mΩ@ 10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 N+P沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5.3A,4.9A
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTM4052L厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTM4052L数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTM4052L UTM4052L数据手册

UTM4052L封装设计

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