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VBMB1203M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-VBMB1203M
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB1203M

VBMB1203M概述


    产品简介


    VBMB1203M N-Channel 200 V MOSFET 是一款高性能的N沟道场效应晶体管(MOSFET),其设计适用于高电压隔离和动态开关操作。这款产品采用TO-220 Fullpak封装,具有出色的散热性能和高可靠性。主要应用领域包括工业自动化、电机控制、电源转换和照明系统等。

    技术参数


    以下是VBMB1203M的主要技术参数:
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\):200 V
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\):2.0 V 至 4.0 V
    - 零栅源电压漏极电流 \(I{DSS}\):-25 μA(\(V{DS} = 200 V\))
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):0.265 Ω @ 10 V \(V{GS}\)
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\):32 A
    - 最大功率耗散 \(PD\):37 W @ 25 °C
    - 最大结温 \(TJ\):175 °C
    - 最小工作温度 \(T{J}\):-55 °C
    - 最大栅漏电荷 \(Q{GD}\):7.7 nC
    - 最大总栅电荷 \(Q{G}\):16 nC
    - 体二极管反向恢复时间 \(t{rr}\):130 ns 至 260 ns @ 9.2 A, \(TJ\) = 25 °C
    - 体二极管反向恢复电荷 \(Q{rr}\):0.65 μC 至 1.3 μC

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离:2.5 kVRMS (1分钟),确保在高压环境下安全运行。
    2. 低热阻:出色的散热性能,可降低热应力并延长使用寿命。
    3. 动态dv/dt等级:能够处理高频率和快速变化的电压。
    4. 无铅可用:符合RoHS标准,环保且对健康无害。
    5. 集成体二极管:提供额外的保护功能,提高整体电路稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业自动化:用于驱动电机和控制系统,提高效率和响应速度。
    - 电源转换:在高频变换器中作为开关器件,提高能量转换效率。
    - 照明系统:在LED驱动电路中用作开关器件,实现高效的电压调节。
    使用建议
    1. 选择合适的驱动器:为了充分利用该MOSFET的快速开关性能,需要选用合适的驱动器,以减少门极延迟和增加驱动能力。
    2. 注意热管理:在高温环境中使用时,需考虑良好的散热措施,以避免过热导致的性能下降。
    3. 布局设计:设计时应尽量减少寄生电感和电容的影响,以避免不必要的干扰和损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VBMB1203M 与大多数常见的电源管理和电机控制电路兼容。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档和客户服务中心,帮助用户解决安装和使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的驱动电阻?
    - 答:根据具体的应用需求选择合适的驱动电阻,确保驱动电流和开关速度满足要求。通常情况下,建议选择10 Ω至20 Ω之间的电阻。
    2. 问:如何防止过热损坏?
    - 答:安装适当的散热片和使用足够的冷却措施,确保MOSFET的工作温度保持在安全范围内。此外,定期监测和维护系统的散热性能也是必要的。

    总结和推荐


    总体而言,VBMB1203M N-Channel 200 V MOSFET是一款高效可靠的电子元件,适用于多种工业和消费电子应用。它具备优秀的高电压隔离性能和快速开关能力,同时提供良好的热管理和高可靠性。推荐在高电压和高频应用中使用,特别是在需要精确控制和稳定性的场合。对于那些需要高性能和长期稳定性的工程师来说,VBMB1203M是一个理想的选择。

VBMB1203M参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB1203M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB1203M数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB1203M VBMB1203M数据手册

VBMB1203M封装设计

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