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DMP2022LSS-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-DMP2022LSS-13 SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13概述

    DMP2022LSS-13-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    DMP2022LSS-13-VB 是一款 P 沟道 20V(漏源)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要应用于便携式设备中,如负载开关、电池开关和充电器开关等。DMP2022LSS-13-VB 的主要功能是作为电子电路中的开关元件,以控制电流的流动。

    技术参数


    - 基本电气参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -20 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 12 V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): -8 A(在 25°C 时), -2.9 A(在 70°C 时)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -50 A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 19 W(在 25°C 时),12 W(在 70°C 时)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): -20 V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): -0.5 V 至 1.2 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.015 Ω(在 \( V{GS} = -4.5 \) V, \( ID = -5 \) A 时),0.021 Ω(在 \( V{GS} = -2.5 \) V, \( ID = -5.3 \) A 时)
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 20 nC 至 75 nC
    - 上升时间 \( tr \): 0.6 μs 至 0.9 μs
    - 下降时间 \( tf \): 3.2 μs 至 5 μs

    产品特点和优势


    - 无卤素设计: 符合 IEC 61249-2-21 定义
    - TrenchFET® 技术: 高效的功耗管理和出色的开关性能
    - 100% 测试: 确保产品出厂质量
    - 符合 RoHS 规定: 适用于环保要求高的应用

    应用案例和使用建议


    - 便携式设备: 在电池管理、充电器切换等场合中广泛应用。例如,作为负载开关可以控制电源的通断,确保设备的稳定运行。
    - 建议: 使用时需注意温度限制,避免过载导致的可靠性问题。在高温环境下,应选择具有更好散热能力的外壳以确保正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于 SO-8 封装标准,方便与其他同类产品进行替换和集成。
    - 支持: 提供完善的售后服务和技术支持,客户可以通过服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备启动时出现异常高温。
    - 解决方案: 检查安装环境,确保良好散热。必要时可采用外置散热片。

    2. 问题: 无法正常开关。
    - 解决方案: 确认输入信号和门极电压范围是否正确。检查是否有短路或开路现象。

    总结和推荐


    DMP2022LSS-13-VB 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道 MOSFET,特别适合便携式设备的应用。其无卤素设计和高效能的 TrenchFET® 技术使其在市场上具备较强的竞争力。尽管价格略高于一般标准产品,但其在长期使用中的稳定性和效率值得投资。综上所述,强烈推荐此产品用于需要高可靠性、低功耗的便携式设备中。

DMP2022LSS-13参数

参数
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ
最大功率耗散 5.7W
栅极电荷 56.9nC@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 1.75mm(高度)
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

DMP2022LSS-13厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

DMP2022LSS-13数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13数据手册

DMP2022LSS-13封装设计

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