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FDMC4435BZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-45A,RDS(ON),11mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.23Vth(V);DFN8(3X3)
供应商型号: 14M-FDMC4435BZ QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDMC4435BZ

FDMC4435BZ概述

    FDMC4435BZ-VB P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDMC4435BZ-VB 是一款P沟道30V(D-S)MOSFET,属于VBsemi公司生产的产品。它采用TrenchFET®技术,具备小尺寸封装和低热阻的特点。这种MOSFET主要用于负载开关、适配器开关以及笔记本电脑等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流(TJ = 150°C) | ID | - | 4 | 30 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 60 | A |
    | 最大功率耗散(TJ = 25°C) | PD | - | 52 | 52 | W |
    | 额定工作温度范围 | TJ | -50 150 | °C |
    | 热阻(稳态) | RthJA | 26 33 | °C/W |
    | 热阻(结到外壳) | RthJC | 1.9 2.4 | °C/W |

    产品特点和优势


    FDMC4435BZ-VB 的主要特点如下:
    - 小尺寸封装:采用DFN 3x3 EP封装,尺寸仅为1.07mm,适用于空间受限的应用。
    - 低热阻:RthJA为26°C/W,RthJC为1.9°C/W,保证了良好的散热性能。
    - 高可靠性:所有产品均经过100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准。
    - 高性能:RDS(on)典型值为11mΩ(VGS=-10V),保证了低导通电阻。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:用于笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理。
    - 适配器开关:适用于各种电源适配器,提供高效能转换。
    使用建议:
    - 在使用时,确保PCB设计符合制造商的建议,以保证良好的散热效果。
    - 尽量避免手动焊接无铅组件,推荐使用波峰焊或其他自动化焊接工艺。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDMC4435BZ-VB 与大多数标准的PCB设计兼容,适用于多种电路布局。
    - 支持:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛和专业技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:手动焊接无铅组件时出现损坏。
    - 解决方案:推荐使用波峰焊或其他自动化焊接工艺,避免手动焊接。
    2. 问题:散热不良导致设备过热。
    - 解决方案:确保PCB设计中有足够的散热路径,使用散热片或风扇增强散热效果。

    总结和推荐


    FDMC4435BZ-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET,具有小尺寸、低热阻和高可靠性的特点。它适用于负载开关、适配器开关以及笔记本电脑等多种应用场合。对于需要高效能和紧凑设计的电子设备来说,FDMC4435BZ-VB 是一个非常值得考虑的选择。
    综上所述,我们强烈推荐使用FDMC4435BZ-VB,特别是在需要高可靠性和良好散热性能的应用场景中。

FDMC4435BZ参数

参数
栅极电荷 24nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2nF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 92mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
最大功率耗散 52W
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDMC4435BZ厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDMC4435BZ数据手册

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FDMC4435BZ封装设计

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