处理中...

首页  >  产品百科  >  FDD770N15A

FDD770N15A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),70mΩ@10V,87mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-FDD770N15A TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD770N15A

FDD770N15A概述

    FDD770N15A-VB N-Channel 150 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDD770N15A-VB 是一款N沟道150V(D-S)MOSFET,适用于多种电源管理和开关应用。这款MOSFET具有极低的栅源电荷(Qgd),有助于降低开关损耗。此外,它还通过100%的Rg测试和雪崩测试,确保了高度可靠性和稳定性。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDS):150V
    - 漏极连续电流(ID):25.4A(TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):50A
    - 最大功率耗散(PD):5.9W(TC = 25°C)
    - 电气特性:
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.5V至3.0V
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 开启状态下的漏极电流(ID(on)):30A
    - 开启状态下漏源电阻(RDS(on)):0.074Ω(VGS = 10V,ID = 5A)
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):735pF
    - 输出电容(Coss):160pF
    - 反向传输电容(Crss):37pF
    - 总栅电荷(Qg):23nC 至 43nC
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):33°C/W 至 40°C/W
    - 最大结到引脚热阻(RthJF):17°C/W 至 21°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 极低的Qgd:有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 100% Rg和雪崩测试:确保产品可靠性高,可应用于严苛的工作环境。
    - 符合RoHS和无卤素标准:符合环保要求,适合广泛应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 主侧开关:适用于电源转换器和逆变器等应用。

    - 使用建议:
    - 在使用过程中,注意散热设计,以避免过热损坏。
    - 确保栅极驱动电路的稳定性和可靠性,避免因驱动不稳定导致的开关故障。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与大多数常见的电源管理电路兼容。
    - 支持:制造商提供详细的文档和技术支持,包括应用指南和故障排除手册。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或使用散热风扇。
    - 问题2:驱动电路不稳定导致开关失效。
    - 解决方案:确保驱动电路稳定,使用合适的栅极电阻和滤波电容。

    7. 总结和推荐


    FDD770N15A-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和开关应用。其低开关损耗、高可靠性及环保特性使其在市场上具备显著的竞争优势。推荐在需要高效、可靠的电源管理应用中使用。
    以上是对FDD770N15A-VB的技术手册内容的整理和总结,希望对您有所帮助。

FDD770N15A参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 5.9W
Id-连续漏极电流 25.4A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.077Ω@VGS = 8 V,ID = 5 A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 150V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.735nF
栅极电荷 23nC
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDD770N15A厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD770N15A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDD770N15A FDD770N15A数据手册

FDD770N15A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.6682
库存: 100
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.34
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336