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VBZE12N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: VBZE12N10 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE12N10

VBZE12N10概述

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一种高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要应用于电力转换和控制领域。它特别适用于开关电源中的初级侧开关,具备高耐热性能和优良的开关特性,能够显著提高系统效率和可靠性。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 100 | V |
    | 额定栅极-源极电压 (VGS) | ± 20 | V |
    | 漏极连续电流 (TJ = 175°C) | 13 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 40 | A |
    | 开启状态电阻 (RDS(on)) | 0.055 | Ω |
    | 零栅电压漏极电流 (IDSS) | ≤ 1 µA | A |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg)| -55 至 175°C | °C |
    | 热阻抗 (RthJA) | 15-18 | °C/W |
    | 功耗 (PD) | 96 | W |

    3. 产品特点和优势


    这款N-Channel MOSFET具有以下独特功能和优势:
    - TrenchFET®技术:提供更低的导通电阻和更好的热性能。
    - PWM优化设计:适合脉冲宽度调制应用,提升系统效率。
    - 100% Rg测试:确保每个器件均经过严格的栅极电阻测试。
    - 符合RoHS标准:绿色环保,无铅无卤。
    这些特点使其在市场上具备明显的竞争优势,特别是在需要高效能和高可靠性的应用中表现优异。

    4. 应用案例和使用建议


    这款MOSFET可以广泛应用于各种电力转换和控制场合,例如:
    - 开关电源:作为初级侧开关,用于实现高效的能量转换。
    - 逆变器和电机驱动:适用于工业自动化和家电应用。
    使用建议:
    - 确保正确的电路布局以减少寄生电感,特别是对于高频应用。
    - 使用适当的散热措施以避免因过热导致的失效。

    5. 兼容性和支持


    该产品具有良好的通用性和兼容性,可与大多数主流控制器和其他组件配合使用。VBsemi公司提供了详细的技术文档和在线支持服务,包括产品手册和技术咨询热线(400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开启电压过高 | 检查并调整栅极驱动电压,确保达到阈值。 |
    | 发热异常 | 改进散热设计,确保足够的散热条件。 |
    | 漏电流过大 | 检查电路连接和焊接质量,确保良好接触。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 100 V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能、高可靠性和广泛的适用性,非常适合在电力转换和控制领域中使用。我们强烈推荐使用此款MOSFET,特别是在需要高效率和高性能的应用场景中。如果您有任何疑问或需要技术支持,VBsemi的技术支持团队将随时为您提供帮助。

VBZE12N10参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE12N10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE12N10数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE12N10 VBZE12N10数据手册

VBZE12N10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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