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VBL1101M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-VBL1101M TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL1101M

VBL1101M概述

    VBL1101M N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBL1101M 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高效率、低损耗和良好的热稳定性。它的主要应用包括隔离式DC/DC转换器,以及其他需要高压、高效能的场合。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 管芯电压 (VDS):100V
    - 连续漏极电流 (ID):20A(TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):70A
    - 热阻抗 (RthJA):40°C/W (PCB Mount)
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 175°C
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):100V
    - 门阈值电压 (VGS(th)):1V至3V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):1µA至50µA
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):950pF
    - 输出电容 (Coss):280pF
    - 反向传输电容 (Crss):110pF
    - 总门电荷 (Qg):28nC
    - 开启延迟时间 (td(on)):8ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):25ns
    - 下降时间 (tf):50ns

    产品特点和优势


    1. 高耐温能力:能够在高达175°C的结温下正常工作。
    2. 低热阻设计:热阻较低,确保了更好的散热效果。
    3. 高性能指标:静态和动态参数表现出色,适合高压、高频率应用。
    4. 可靠性高:100% Rg测试,保证产品质量。

    应用案例和使用建议


    VBL1101M 主要用于隔离式DC/DC转换器中。例如,在设计一个开关电源时,可以使用VBL1101M来提高整体效率。具体使用建议如下:
    1. 选择合适的散热方案:由于其较高的热阻抗,需要良好的散热设计,例如使用散热片或散热板。
    2. 合理布线:在PCB设计时,应避免过长的走线,减少杂散电感,提升电路性能。
    3. 负载管理:在高负载情况下,注意监控器件的工作温度,避免过热。

    兼容性和支持


    VBL1101M 采用D2PAK (TO-263) 封装,具有良好的兼容性。VBsemi公司提供详细的规格书和技术支持,以确保用户能够顺利集成到不同的系统中。如果遇到问题,可联系技术支持团队寻求帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过高的温度?
    - 解决方案:增加散热片或散热板,改进PCB设计以改善散热。
    2. 问题:如何减少寄生电感?
    - 解决方案:尽量缩短引脚长度,采用短而宽的铜箔线路,减少走线之间的距离。
    3. 问题:在高频应用中,如何降低噪声?
    - 解决方案:使用低电感电容进行滤波,并优化电源布局以减少噪声干扰。

    总结和推荐


    VBL1101M 在高压、高频应用中表现出色,具备良好的热稳定性和高耐温能力。其低热阻设计和高性能参数使其成为理想的MOSFET选择。强烈推荐在高压DC/DC转换器和其他高要求的应用中使用VBL1101M。如果您正在寻找高性能、高可靠性的MOSFET,VBL1101M是您的最佳选择。

VBL1101M参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,106mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL1101M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL1101M数据手册

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VBL1101M封装设计

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