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IRFR3412TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IRFR3412TRPBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3412TRPBF

IRFR3412TRPBF概述

    # IRFR3412TRPBF-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFR3412TRPBF-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 100-V 漏极-源极 MOSFET。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,具备高可靠性、低导通电阻等特点。该器件广泛应用于电源管理和转换系统中,如主侧开关和隔离式直流-直流转换器等。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏电流 (TJ = 150 °C) | ID | 25/10 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 25 | A |
    | 源-漏二极管持续电流 | IS | 2 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 101 | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 136.4/68.2 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ | -55 至 175 | °C |
    额定条件下的性能参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 100 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 µA | 2.5 | 5 V |
    | 开态漏源电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 15 A 0.0185 Ω |
    | 输入电容 | CISS | VDS = 50 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz 2400 pF |
    | 输出电容 | COSS 230 pF |
    | 逆向传输电容 | CRSS 80 pF |
    | 总栅电荷 | QG | VDS = 50 V, VGS = 10 V, ID = 50 A 38 nC |
    | 开启延时时间 | TD(on) | VDD = 50 V, RL = 1 Ω, ID ≈ 50 A | 12 | 20 ns |
    | 关闭延时时间 | TD(off) 18 | 35 ns |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:显著降低导通电阻(RDS(on)),提升开关速度。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品高可靠性和一致性能。
    - 宽工作温度范围:适应各种严苛环境的应用需求。
    - 高电流承载能力:适合高功率应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 主侧开关:用于控制主电路中的电流流动,如电源管理系统。
    - 隔离式直流-直流转换器:在隔离式转换器中作为关键开关元件,提高效率和可靠性。
    使用建议
    - 在高电流应用中,确保散热良好以避免热击穿。
    - 选择合适的栅极驱动电压,以实现低RDS(on)和快速开关速度。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准TO-252封装的电子元器件具有良好的兼容性,适用于大多数常规电路设计。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,客户可以随时联系服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题一:长时间运行发热严重
    解决方案:增加散热片或者使用外部冷却风扇来增强散热效果。
    问题二:栅极驱动电压设置不当
    解决方案:根据数据手册中推荐的栅极驱动电压进行调整,确保在安全范围内操作。

    总结和推荐


    IRFR3412TRPBF-VB MOSFET 在众多同类产品中表现优异,尤其适用于需要高可靠性、高效率的电源管理应用。其出色的热管理和低导通电阻使其成为市场上最具竞争力的产品之一。我们强烈推荐这款产品给需要高性能电子元器件的设计工程师和制造商。

IRFR3412TRPBF参数

参数
最大功率耗散 136.4W
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.0185Ω@VGS = 10 V,ID = 15 A
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR3412TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR3412TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR3412TRPBF IRFR3412TRPBF数据手册

IRFR3412TRPBF封装设计

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