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NP32N055SLE-E1-AY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NP32N055SLE-E1-AY TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP32N055SLE-E1-AY

NP32N055SLE-E1-AY概述

    NP32N055SLE-E1-AY-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    NP32N055SLE-E1-AY-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件广泛应用于电源管理、电机驱动、通信设备以及工业自动化等领域。它以其高效能和高可靠性在电子设备设计中受到青睐。

    技术参数


    | 参数 | 规格 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 \( V{(BR)}DSS \) | 60 | V |
    | 栅极阈值电压 \( V{GS(th)} \) | 1.0 - 3.0 | V |
    | 栅源漏电流 \( I{DSS} \) | 50 µA | @ 125°C |
    | 栅源漏电流 \( I{DSS} \) | 250 µA | @ 175°C |
    | 导通状态漏源电阻 \( r{DS(on)} \) | 0.025 \( \Omega \) | @ VGS = 10V, ID = 15A |
    | 导通状态漏源电阻 \( r{DS(on)} \) | 0.069 \( \Omega \) | @ VGS = 10V, ID = 15A, TJ = 175°C |
    | 动态输入电容 \( C{iss} \) | 150 pF | @ VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1 MHz |
    | 反向传输电容 \( C{rss} \) | 60 pF
    | 总栅极电荷 \( Qg \) | 11 - 17 nC | @ VDS = 30V, VGS = 10V, ID = 23A |
    | 栅源电荷 \( Q{gs} \) | 3 nC
    | 栅极导通延迟时间 \( t{d(on)} \) | 8 - 15 ns | @ VDD = 30V, RL = 1.3Ω |
    | 上升时间 \( tr \) | 15 - 25 ns

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,保证低导通电阻和高电流能力。
    2. 高耐温能力:能够承受高达175°C的结温,适用于恶劣环境下的应用。
    3. 高效的电气特性:包括低栅极泄漏电流和高耐压特性,确保了可靠的性能。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换电路:在开关电源中作为主控器件,有效降低损耗并提高效率。
    - 电机驱动:提供可靠的电流控制,确保电机平稳运行。
    - 工业自动化:适用于需要高可靠性和高精度的应用场合。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,确保设备安全运行。
    - 为了实现最佳性能,在设计电路时应考虑所有电气特性和工作条件。

    兼容性和支持


    NP32N055SLE-E1-AY-VB与大多数常见的电源管理系统和控制器兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得及时的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的结温导致器件损坏
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇。
    2. 问题:漏源击穿电压不稳定
    - 解决方案:检查电路设计,确保正确连接和良好的焊接质量。
    3. 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:检查工作电压是否符合要求,确保MOSFET在额定条件下工作。

    总结和推荐


    NP32N055SLE-E1-AY-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,特别适合在各种苛刻环境下的应用。其高耐温能力和高效的电气特性使其成为电源管理和电机驱动系统的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高稳定性和可靠性的项目。

NP32N055SLE-E1-AY参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NP32N055SLE-E1-AY厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP32N055SLE-E1-AY数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP32N055SLE-E1-AY NP32N055SLE-E1-AY数据手册

NP32N055SLE-E1-AY封装设计

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