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NTD4904NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NTD4904NT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD4904NT4G

NTD4904NT4G概述

    NTD4904NT4G-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTD4904NT4G-VB 是一款 N-Channel TrenchFET® 功率 MOSFET,适用于广泛的电力应用。该器件具有 30V 的漏源电压(D-S),适用于服务器、直流转换(DC/DC)和其他电力转换应用。该产品以其低导通电阻(RDS(on))和高效能而闻名,是各种高性能电力转换应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 漏极连续电流(ID):100A(TJ = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):300A
    - 源漏体二极管电流(ISM):120A
    - 反向恢复时间(trr):52-78ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):70.2-105nC
    - 静态参数
    - 导通阻抗(RDS(on)):0.002Ω @ VGS = 10V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):1.5-2.5V
    - 最小保持电流(ID(on)):90A @ VGS = 10V
    - 输入电容(Ciss):520pF @ VDS = 15V, VGS = 0V
    - 输出电容(Coss):1525pF @ VDS = 15V, VGS = 0V
    - 转移电容(Crss):770pF @ VDS = 15V, VGS = 10V, ID = 3A
    - 动态参数
    - 总栅极电荷(Qg):71.5-103nC @ VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 28.8A
    - 门源电荷(Qgs):30nC @ VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 28.8A
    - 门极-漏极电荷(Qgd):24nC @ VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 28.8A

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):0.002Ω @ VGS = 10V,确保高效的电力转换,减少功耗。
    2. 高可靠性:通过 Rg 和 UIS 测试,保证了器件的可靠性和稳定性。
    3. RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令,绿色环保。
    4. 广泛的工作温度范围:-55°C 至 +175°C,适应多种严苛环境条件。

    应用案例和使用建议


    - 服务器电源:用于高密度服务器中的电源管理,需要高效稳定的电力转换。
    - DC/DC 转换器:在 DC/DC 转换器中,NTD4904NT4G-VB 可以实现高效的功率传输和管理。
    - 系统保护:作为 OR-ing 应用中的保护元件,防止反向电流。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电阻(Rg)时,注意其对开关时间的影响。
    - 需要根据具体应用需求选择合适的散热措施,避免因过热导致器件失效。

    兼容性和支持


    NTD4904NT4G-VB 支持标准 TO-252 封装,易于焊接和组装。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括技术文档和在线咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 如何选择合适的驱动电阻(Rg)?
    - 解决方案:根据具体应用中的开关频率和最大允许开关时间选择合适的 Rg 值,可以通过查阅手册中的图表进行参考。
    2. 在高温环境下使用时,如何避免过热问题?
    - 解决方案:采用合适的散热片或风扇进行散热,确保器件的温度不超过最大工作温度限制。

    总结和推荐


    NTD4904NT4G-VB 是一款出色的 N-Channel 30-V MOSFET,具备高效率、低导通电阻和宽工作温度范围等显著优点。它适用于服务器电源、DC/DC 转换器等多种应用场合。其低功耗和高可靠性使其成为电力管理和转换应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能电力转换和管理的应用场景。
    如果您需要进一步的技术咨询或样品测试,可通过服务热线:400-655-8788 联系 VBsemi 官方获取更多帮助。

NTD4904NT4G参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.003Ω@VGS = 4.5 V,ID = 37 A
最大功率耗散 235W
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTD4904NT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD4904NT4G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD4904NT4G NTD4904NT4G数据手册

NTD4904NT4G封装设计

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