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IRF510NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IRF510NPBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF510NPBF

IRF510NPBF概述

    # IRF510NPBF-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本描述
    IRF510NPBF-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的N-Channel 100-V(漏-源)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品主要用于隔离式直流-直流转换器等应用场合。其核心特性包括低热阻封装、耐高温操作能力和高可靠性设计。
    主要功能
    - 高电压耐受性:可承受最高达100V的漏-源电压(VDS)。
    - 高耐温性:可工作在高达175°C的结温环境下。
    - 低电阻率:低导通电阻(RDS(on)),在10V栅极电压下为0.127Ω。
    - 抗冲击能力:具备单脉冲雪崩能量承受能力(EAS)。
    应用领域
    - 隔离式直流-直流转换器
    - 电源管理
    - 电机控制

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏-源电压 | VDS | 100 | V |
    | 栅-源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(TJ = 175°C) | ID | 18 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 18 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 200 | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 3.75 | W |
    规格
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 饱和漏源击穿电压 | V(BR)DSS 100 V |
    | 栅-体漏电流 | IGSS ±100 nA |
    | 导通状态漏极电流 | IDON | VDS ≥ 5V, VGS = 10V 120 A |
    | 导通状态电阻 | RDS(on)| VGS = 10V, ID = 20A 0.127 Ω |
    | 转移电容 | Ciss 130 pF |

    产品特点和优势


    - 高性能TrenchFET®技术:低导通电阻和高耐温性。
    - 高温稳定性:能够在175°C的极端温度下可靠运行。
    - 卓越的散热能力:采用低热阻封装,具有优异的散热性能。
    - 强大的单脉冲雪崩能量承受能力:提高了在恶劣环境下的稳定性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF510NPBF-VB 主要应用于隔离式直流-直流转换器,如电源管理系统和电机驱动电路中。这些应用需要高效、稳定的电源管理,并能承受高电压和高温环境。
    使用建议
    - PCB布局:为了提高散热效果,建议将器件安装在具有良好散热特性的PCB上,并尽量增加铜箔面积以提高散热效率。
    - 热设计:考虑使用散热片或其他散热装置,确保器件能在允许的工作温度范围内运行。
    - 负载匹配:根据负载需求合理选择驱动电阻(Rg),确保开关速度和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与标准TO-220封装兼容,适用于大多数现有的电源系统。
    - 技术支持:VBsemi提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南和故障排除指南,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:器件过热导致性能下降
    解决方案:检查散热措施是否到位,必要时增加散热片或改善PCB设计以提高散热效率。
    问题2:高频开关时噪音问题
    解决方案:检查并调整驱动电阻(Rg)的值,以优化开关速度和减少噪声。
    问题3:长时间使用后性能下降
    解决方案:定期进行设备检查和维护,确保所有连接和接触点都处于良好状态,避免因接触不良引起的问题。

    总结和推荐


    优点

    总结


    - 高效稳定的性能
    - 优异的高温稳定性
    - 低热阻封装,优良的散热能力
    - 强大的单脉冲雪崩能量承受能力
    推荐使用
    IRF510NPBF-VB 是一款性能出色的N-Channel MOSFET,适用于各种高电压和高温环境的应用。结合其优秀的散热特性和广泛的工作范围,使得该产品在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐用于电源管理和电机控制等关键应用中。

IRF510NPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
最大功率耗散 105W
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 0.127Ω@VGS = 10 V,ID = 20 A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF510NPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF510NPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF510NPBF IRF510NPBF数据手册

IRF510NPBF封装设计

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