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VBE1206

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: 14M-VBE1206
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE1206

VBE1206概述

    VBE1206 N-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBE1206 是一款 N-Channel TrenchFET 功率 MOSFET,适用于多种电力电子应用。它提供出色的电气特性和热稳定性,能够在广泛的温度范围内高效运行。这种 MOSFET 主要用于开关电源、电机驱动和其它需要高效率功率控制的应用领域。

    2. 技术参数


    以下是 VBE1206 的关键技术规格和性能参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 20V
    - 漏源导通电阻 (rDS(on)):
    - VGS = 4.5V 时为 0.0045Ω
    - VGS = 2.5V 时为 0.006Ω
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25℃ 时为 100A
    - TC = 100℃ 时为 80A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 200A
    - 工作环境温度范围: -55℃ 至 175℃
    - 最高结温: 175℃
    - 热阻抗 (RthJA): 最大值为 50℃/W

    3. 产品特点和优势


    VBE1206 的主要优势在于其低导通电阻和高耐温能力,这使得它在各种电力电子应用中表现出色。具体特点包括:
    - 175℃ 最大结温: 保证了设备在极端环境下的可靠性。
    - 低导通电阻: 在 4.5V 和 2.5V 时分别为 0.0045Ω 和 0.006Ω,提高了能效。
    - 100% Rg 测试: 确保了产品质量和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    VBE1206 广泛应用于以下场景:
    - 开关电源: 由于其低导通电阻和高效率,适合用于高频开关电源。
    - 电机驱动: 可以在电机启动和停止时提供可靠的电流控制。
    - 电池管理系统: 在高功率应用中,如电动车电池管理,可以提高系统的整体效率。
    使用建议:
    - 确保散热系统设计良好,以应对高功率工作条件。
    - 考虑温度影响,选择合适的栅极驱动电压以保持最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    VBE1206 采用 TO-252 封装,易于安装和集成。该器件与其他主流功率 MOSFET 设备具有良好的兼容性。厂商提供了详细的技术支持和售后服务,确保客户能够获得最佳使用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方案:
    - 问题: 漏电流过高
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否正确,确认电路连接无误。
    - 问题: 散热不良
    - 解决方案: 优化散热设计,增加散热片或风扇以降低工作温度。
    - 问题: 开关频率不稳定
    - 解决方案: 确认电源稳定性和负载情况,适当调整电路参数。

    7. 总结和推荐


    总体而言,VBE1206 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,特别适合于高功率密度的应用场合。其出色的电气特性和热稳定性使其成为许多电力电子应用的理想选择。我们强烈推荐使用 VBE1206,尤其是在需要高可靠性和高效率的环境中。
    联系方式:
    如需进一步的技术支持或订购,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

VBE1206参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 145A
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE1206厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE1206数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE1206 VBE1206数据手册

VBE1206封装设计

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