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VBZE80N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: 14M-VBZE80N10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE80N10

VBZE80N10概述

    VBZE80N10 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBZE80N10 是一款 N 沟道 100V(D-S)功率 MOSFET,适用于多种应用场合。其主要功能是在电力转换电路中作为开关元件使用,可广泛应用于电源管理、DC/DC 转换器和逆变器等电力电子产品中。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \): ± 20V
    - 漏极-源极电压 \( V{DS} \): 100V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 85A(\( TJ = 150°C \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 300A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 75A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 280mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 210W(\( TC = 25°C \))
    - 热阻抗
    - 结到环境的最大热阻 \( R{thJA} \): 40-50°C/W
    - 结到外壳的最大热阻 \( R{thJC} \): 0.85-1.1°C/W
    - 静态参数
    - 漏极-源极击穿电压 \( V{DS} \): 100V
    - 栅极-阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1-3V
    - 零栅极电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1µA(\( V{DS} = 100V, V{GS} = 0V \))
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 4550pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 565pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 205pF

    产品特点和优势


    - 技术特点
    - 使用 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术
    - 100% 的 \( Rg \) 和 \( UIS \) 测试
    - 优势
    - 高效率:低 \( R{DS(on)} \) 值,显著降低损耗
    - 高可靠性:经过严格的测试以确保稳定性
    - 稳定的工作温度范围:-55°C 至 175°C

    应用案例和使用建议


    - 应用场景
    - 主侧开关
    - 隔离式 DC/DC 转换器
    - 使用建议
    - 在高电流应用中,确保良好的散热设计,避免因过热导致性能下降
    - 根据实际负载选择合适的驱动电阻,以优化开关时间

    兼容性和支持


    - 兼容性
    - 支持标准的 TO-252 封装
    - 与多数隔离式 DC/DC 转换器和其他电源管理模块兼容
    - 支持
    - 客户服务热线:400-655-8788
    - 提供详尽的技术文档和支持服务

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过热?
    - 解决办法:改善散热设计,确保良好的空气流通和有效的散热器安装。

    2. 问题:开关速度较慢?
    - 解决办法:调整栅极电阻,选择合适的驱动电压和电流,以加快开关速度。

    总结和推荐


    VBZE80N10 N 沟道 MOSFET 以其出色的性能、高可靠性以及广泛的适用性,在电源管理和转换电路中表现卓越。它适用于需要高效、稳定工作的各种电力电子系统。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的用户。
    这份技术手册提供了 VBZE80N10 N 沟道 MOSFET 的详细信息和技术规格,适合广大工程师和电子设计人员参考使用。

VBZE80N10参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE80N10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE80N10数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE80N10 VBZE80N10数据手册

VBZE80N10封装设计

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