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FDD8451

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-FDD8451 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD8451

FDD8451概述

    FDD8451-VB N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDD8451-VB 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N 沟道 40-V (D-S) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款 MOSFET 主要用于电源管理和控制应用,如 OR-ing(逻辑或操作)、服务器电源系统及直流/直流转换器。该产品符合 RoHS 指令 2011/65/EU,确保环保要求得到满足。

    技术参数


    以下是 FDD8451-VB 的关键技术参数和性能指标:
    - 耐压能力: VDS 最大值为 40V。
    - 连续漏极电流: TA = 25 °C 时最大 45A,TA = 70 °C 时最大 15.8A(稳态)。
    - 最大功率耗散: TA = 25 °C 时为 100W,TA = 70 °C 时为 75W。
    - 静态特性: 门限电压 VGS(th) 范围为 1.5V 至 2.5V;最大栅源泄漏电流 IGSS 为 ±100nA;零栅源电压漏电流 IDSS 为 1μA。
    - 动态特性: 输入电容 Ciss 最大 725pF;输出电容 Coss 最大 570pF;总栅电荷 Qg 最大 120nC。
    - 温度范围: 工作结温及存储温度范围为 -55°C 至 175°C。

    产品特点和优势


    FDD8451-VB MOSFET 的显著特点是:
    - 高可靠性: 100% Rg 和 UIS 测试,保证产品质量。
    - 低导通电阻: 在 VGS = 10V 时,RDS(on) 仅为 0.012Ω,确保高效的电流传输。
    - 宽泛的工作温度范围: 支持在极端环境下使用。
    - 紧凑封装: TO-252 封装适合表面贴装,节省空间并便于自动化生产。

    应用案例和使用建议


    FDD8451-VB MOSFET 广泛应用于各种高性能电力管理系统中,例如:
    - OR-ing 应用: 在冗余电源系统中提供高效电流切换。
    - 服务器电源: 通过快速开关特性提高效率。
    - DC/DC 转换器: 利用低导通电阻减少能量损耗。
    使用建议:
    - 确保散热管理良好,特别是在高电流和高温环境中。
    - 使用适当的栅极驱动器以减少开关损耗。
    - 适当选择外围元件以避免过压和过流情况。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该 MOSFET 适用于多种标准电源设计和模块,易于与其他电子元件集成。
    - 技术支持: 制造商提供详尽的技术文档和客服支持,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 过高的电流导致发热。
    - 解决方案: 增加散热片或风扇以增强散热效果。
    - 问题 2: 开关频率过高导致效率下降。
    - 解决方案: 减少开关频率或使用更低 RDS(on) 的 MOSFET。
    - 问题 3: 电流波动较大。
    - 解决方案: 使用更稳定的电源输入和更好的电路布局设计。

    总结和推荐


    FDD8451-VB N-Channel 40-V MOSFET 在电源管理领域的应用表现优异,具备高可靠性、低功耗和广泛的温度适应性。针对电源系统的高要求,我们强烈推荐此款 MOSFET 用于需要高效能和稳定性的应用场合。

FDD8451参数

参数
Id-连续漏极电流 55A
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 100W
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 0.014Ω@VGS = 4.5 V,ID = 37 A(typ)
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDD8451厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD8451数据手册

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FDD8451封装设计

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