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IPP530N15N3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,45A,RDS(ON),45mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IPP530N15N3G TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP530N15N3G

IPP530N15N3G概述

    IPP530N15N3G-VB N-Channel 150-V (D-S) 175 °C MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPP530N15N3G-VB 是一种 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高压、高温应用环境。该产品采用了先进的 TrenchFET® 技术,具备高可靠性和低热阻的特点。它特别适用于电源转换、电机控制和高功率系统等应用场合。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = 150 V
    - 连续漏极电流:ID = 50 A(TJ = 175 °C)
    - 最大漏极脉冲电流:IDM = 150 A
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.030 Ω(VGS = 10 V, ID = 15 A), RDS(on) = 0.033 Ω(VGS = 6 V, ID = 10 A)
    - 阈值电压:VGS(th) = 2-4 V
    - 最大功耗:PD = 166 W(TA = 25 °C)
    - 存储温度范围:Tstg = -55 至 175 °C
    - 热阻抗:RthJA = 40 °C/W, RthJC = 0.9 °C/W

    产品特点和优势


    - 高性能:采用先进的 TrenchFET® 技术,确保低导通电阻和高耐压能力。
    - 高可靠性:能够承受高达 175 °C 的工作温度,保证在极端条件下的稳定运行。
    - 低热阻:新开发的封装结构使得热阻降低,提高散热效率。
    - 符合 RoHS 规范:环保设计,适合各种绿色应用。
    - PWM 优化:专门针对脉宽调制(PWM)进行了优化,适用于多种电力转换场合。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换:在 AC-DC 转换器和开关电源中作为主侧开关。
    - 电机驱动:在电动汽车和工业机器人中的电机控制电路中使用。
    - 高功率系统:适用于需要高电流和高电压的应用场合。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,需注意散热设计,以保持其最佳性能。
    - 在高脉冲电流环境下,需要考虑保护措施,避免过载损坏。

    兼容性和支持


    IPP530N15N3G-VB 支持广泛的应用场景,并且与其他主流电子元器件具有良好的兼容性。制造商提供了全面的技术支持和服务,包括产品咨询、技术文档和故障排除指南。如有需要,可联系服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高脉冲电流条件下出现过载现象。
    - 解决办法:确保使用适当的散热装置,并配置合适的保护电路,如过流保护和短路保护。
    - 问题:长时间高温工作后性能下降。
    - 解决办法:定期检查和更换散热装置,确保设备在合理的工作温度范围内运行。
    - 问题:焊接过程中损坏。
    - 解决办法:使用正确的焊接技术和工具,遵守制造商的焊接指南。

    总结和推荐


    IPP530N15N3G-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,适用于多种高压、高温应用场景。其卓越的性能和广泛的兼容性使其成为众多高功率系统的理想选择。强烈推荐在需要高可靠性和高耐温性能的应用中使用本产品。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系服务热线 400-655-8788。

IPP530N15N3G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP530N15N3G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP530N15N3G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP530N15N3G IPP530N15N3G数据手册

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