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FDS5670-NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V);SOP8
供应商型号: 14M-FDS5670-NL SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDS5670-NL

FDS5670-NL概述

    FDS5670-NL-VB MOSFET 技术手册详解

    1. 产品简介


    产品类型:FDS5670-NL-VB 是一款N沟道60V(漏极-源极)功率MOSFET。
    主要功能:这款MOSFET具有优化的低侧同步整流操作能力,适用于多种应用场合。
    应用领域:
    - CCFL(冷阴极荧光灯)逆变器

    2. 技术参数


    - 封装类型:SO-8
    - 主要参数:
    - 漏源电压 (VDS):60 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C):ID = 25 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):11.2 mJ
    - 最大功耗 (TA = 25°C):PD = 5 W
    - 热阻率 (RthJA):38 °C/W (最大值)

    - 静态参数:
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 4.6 A 时:0.012 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 4.2 A 时:0.015 Ω
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.0 V 至 3.0 V
    - 栅源漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):1100 pF
    - 输出电容 (Coss):90 pF
    - 反向传输电容 (Crss):55 pF
    - 总栅电荷 (Qg):10.5 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)):20 ns (VDD = 30 V, RL = 5.4 Ω, ID ≅ 5.6 A)
    - 关闭延迟时间 (td(off)):25 ns (VDD = 30 V, RL = 5.4 Ω, ID ≅ 5.6 A)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在标准测试条件下,漏源导通电阻低至0.012 Ω (VGS = 10 V, ID = 4.6 A),这使得它在高效电源转换应用中表现出色。
    - 高可靠性和稳定性:所有样品均通过Rg和UIS测试,确保了产品的长期稳定性和可靠性。
    - 环境友好:符合IEC 61249-2-21定义的无卤材料标准,对环境友好。
    - 出色的热性能:热阻率低至38 °C/W (最大值),确保在高功率密度下仍能保持良好的散热性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在CCFL逆变器中,这款MOSFET能够实现高效的同步整流,从而提升系统的整体效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到其导通电阻低的特点,可适当减小PCB上的铜箔厚度,以减少寄生电感的影响。
    - 对于高负载情况,建议增加适当的散热措施,以避免过热现象的发生。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此产品为SO-8封装,广泛应用于各种电路板上,易于与其他标准组件配合使用。
    - 技术支持:供应商提供全面的技术支持,包括在线文档、论坛及热线电话(400-655-8788),确保客户获得及时的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:设备出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,确保有足够的散热空间。如果需要,可以加装散热片或散热风扇。

    - 问题二:无法达到预期的开关速度。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路的设计,确保提供足够的驱动电流以加快开关速度。

    7. 总结和推荐


    总体来看,FDS5670-NL-VB MOSFET 在高效电源转换应用中表现优异,具备出色的性能和可靠的稳定性。其低导通电阻、高热性能和环保特性使其成为广泛应用的理想选择。对于那些追求高效能且注重环境保护的工程师来说,这款产品是一个非常值得考虑的选择。
    推荐使用:强烈推荐在CCFL逆变器和其他需要高效能电源管理的应用中使用此款MOSFET。

FDS5670-NL参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDS5670-NL厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDS5670-NL数据手册

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FDS5670-NL封装设计

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