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VBZP20N65S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBZP20N65S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZP20N65S

VBZP20N65S概述

    N-Channel 650V Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    这款N-Channel 650V Super Junction MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),适用于多种高要求的应用场景。它的主要特点是低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性。这种MOSFET主要用于电信、照明、消费电子、工业控制、可再生能源和开关模式电源(SMPS)等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 V |
    | 漏极电流(连续) | ID | -20 +13 | A |
    | 耐压 | VDS 650 | V |
    | 导通电阻(最大值) | RDS(on) 0.19 Ω |
    | 输入电容 | Ciss 2322 pF |
    | 输出电容 | Coss 105 pF |
    | 门极电荷 | Qg 71 | 106 | nC |

    产品特点和优势


    - 降低开关损耗:通过降低反向恢复时间和Qrr,使得在高频应用中表现出色。
    - 低栅极电荷:减少驱动功耗,有助于提高整体效率。
    - 优良的热性能:能够在极端温度环境下稳定工作。
    - 快速开关:有助于减少开关过程中的能量损失,提高系统整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:其高耐压和快速开关特性使其成为此类应用的理想选择。
    - 高亮度放电灯和荧光灯:其快速的反向恢复时间可以减少能量损失。
    - 太阳能逆变器:用于光伏逆变器时,它可以帮助实现高效的能源转换。
    - 焊接和电池充电器:适用于高功率密度的应用场合。

    兼容性和支持


    - 该产品与市场上大多数主流标准兼容。
    - 厂商提供详尽的技术支持和售后保障,确保用户能够充分利用产品的各项特性。

    常见问题与解决方案


    1. 开关频率过高导致过热:增加散热片面积或采用水冷装置来辅助散热。
    2. 栅极电压不稳定:检查电源连接并确保接地良好。
    3. 输出功率不足:可能需要检查是否有过多的寄生电感,尝试优化电路布局。

    总结和推荐


    这款N-Channel 650V Super Junction MOSFET 在众多应用中表现出色,特别是在需要高耐压、低导通电阻和快速开关特性的场合。由于其优秀的热管理和低损耗特性,非常适合用于工业和高能效应用。强烈推荐在需要高效、高可靠性电力转换的系统中使用。

VBZP20N65S参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZP20N65S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZP20N65S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZP20N65S VBZP20N65S数据手册

VBZP20N65S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
900+ ¥ 8.7706
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型号 价格(含增值税)
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