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FDS2582-NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);SOP8
供应商型号: 14M-FDS2582-NL SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDS2582-NL

FDS2582-NL概述

    FDS2582-NL-VB N-Channel 150 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDS2582-NL-VB 是一款N沟道150V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种应用场合。它具备出色的开关性能,极低的导通电阻和优秀的耐热性。主要用于作为主侧开关,广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    - 基本特性
    - 符合RoHS标准2002/95/EC
    - 无卤素,符合IEC 61249-2-21定义
    - 极低的Qgd以减少开关损耗
    - 100%的Rg测试
    - 100%的雪崩测试
    - 电气特性
    - 最大栅源电压(VGS):±20 V
    - 最大漏源电压(VDS):150 V
    - 连续漏电流(ID):5.4 A (TJ = 25 °C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):20 mJ
    - 最大功耗(PD):5.9 W (TJ = 25 °C)
    - 热阻抗
    - 最大结到壳体热阻(RthJC):17 °C/W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):33 °C/W
    - 其他参数
    - 漏源击穿电压(VDS):150 V
    - 导通状态电阻(RDS(on)):0.080 Ω (VGS = 10 V, ID = 5 A)
    - 前向跨导(gfs):23 S
    - 输入电容(Ciss):735 pF (VDS = 50 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):160 pF
    - 反向转移电容(Crss):37 pF
    - 总栅电荷(Qg):28.5 nC (VDS = 75 V, VGS = 10 V, ID = 5 A)


    3. 产品特点和优势


    - 低开关损耗:由于Qgd非常低,FDS2582-NL-VB能够有效减少开关过程中的能量损耗,提高能效。
    - 可靠性高:经过100%的Rg和雪崩测试,确保产品的稳定性和可靠性。
    - 环境友好:无卤素设计符合IEC 61249-2-21标准,且符合RoHS规定。
    - 广泛应用:适用于多种工业和消费电子应用,特别是作为主侧开关。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:FDS2582-NL-VB常用于开关电源转换器中,如DC-DC转换器和电池充电器。此外,它也适用于电机驱动和LED照明系统。
    - 使用建议:
    - 在高频应用中,应注意散热问题,避免过热导致性能下降。
    - 选择合适的外部电路配置,如使用较低的栅极电阻(Rg),以提高开关速度并降低损耗。
    - 需要注意的是,在高电压应用中,应确保所有连接和封装都具有良好的绝缘性能,避免击穿风险。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDS2582-NL-VB的SO-8封装使其易于集成到现有电路板设计中,与各种电路板布局兼容。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的使用手册、应用指南和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确保在高温度环境下MOSFET的正常工作?
    - 解决办法:可以通过增加散热片或使用更高效的冷却系统来改善热管理。同时,需定期监测温度以防止过热。

    - 问题2:FDS2582-NL-VB在高频率下的开关性能表现如何?
    - 解决办法:通过优化电路设计,比如减小寄生电容,可以显著提升高频下的性能。也可以考虑采用更低Qgd的型号,以进一步减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    总结:FDS2582-NL-VB是一款高性能的N沟道150V MOSFET,具有低开关损耗、高可靠性、无卤素设计等优势。它非常适合需要高效率和良好热管理的应用。
    推荐:鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐FDS2582-NL-VB在开关电源和其他电力电子系统中使用。无论是工业还是消费级应用,它都能提供卓越的表现。

FDS2582-NL参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDS2582-NL厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDS2582-NL数据手册

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FDS2582-NL封装设计

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