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FQPF20N06L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-FQPF20N06L TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF20N06L

FQPF20N06L概述

    FQPF20N06L-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQPF20N06L-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 60 V (D-S) MOSFET。这款 MOSFET 主要应用于高压环境下的开关电路设计,如电机驱动、电源转换器、工业控制等领域。它采用 TO-220 Fullpak 封装,具有出色的隔离性能和高电压耐受能力。

    技术参数


    以下是 FQPF20N06L-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS):60 V
    - 连续漏极电流 (ID):45 A @ TC = 25 °C, 220 A @ TC = 100 °C
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.027 Ω @ VGS = 10 V, ID = 18 A
    - 栅电荷 (Qg):95 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):27 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):46 nC
    - 热阻 (RthJA):65 °C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 to +175 °C
    - 雪崩能量 (EAS):100 mJ
    - 体二极管反向恢复时间 (trr):140 - 300 ns
    - 最大脉冲栅极恢复电压 (dV/dt):4.5 V/ns

    产品特点和优势


    FQPF20N06L-VB MOSFET 具备以下特点和优势:
    - 高电压隔离:具备 2.5 kVRMS 的高电压隔离能力,适用于高压环境下的应用。
    - 低热阻:热阻为 65 °C/W,确保在高温环境下良好的散热效果。
    - 高电流容量:支持高达 45 A 的连续漏极电流和 220 A 的脉冲电流,满足大功率需求。
    - 动态dv/dt 速率:动态 dv/dt 速率为 4.5 V/ns,适用于高频开关应用。
    - 无铅封装:符合 RoHS 标准,环保可靠。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:FQPF20N06L-VB 可以用于各种高压转换器、逆变器和电机控制器中。例如,在电动汽车充电器中作为主开关使用,能有效提高系统的稳定性和可靠性。
    - 使用建议:
    - 在高电流应用中,需注意散热问题,建议增加外部散热片以保证良好的热管理。
    - 由于其高 dv/dt 能力,建议在电路设计中加入适当的滤波措施,防止高速开关引发的电磁干扰。
    - 使用时应注意额定电流限制,避免超过最大额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FQPF20N06L-VB 与标准的 TO-220 封装兼容,可直接替换现有设计中的同类型号。
    - 支持和维护:VBsemi 提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户解决在设计和应用过程中可能遇到的问题。服务热线为 400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:过高的栅源电压损坏 MOSFET。
    - 解决方案:确保 VGS 不超过 ±20 V,使用保护电路或稳压器来限制输入电压。

    - 问题 2:热耗散问题导致的失效。
    - 解决方案:使用散热片或其他散热方法降低温度,确保 RthJA 不超过 65 °C/W。

    - 问题 3:漏极电流过高导致的热损坏。
    - 解决方案:选择合适的限流电路或保险丝,确保电流不超过 ID 的额定值。

    总结和推荐


    FQPF20N06L-VB N-Channel MOSFET 在高压、高电流和高可靠性要求的应用中表现出色。它不仅具有出色的电气性能,还具有高可靠性和长寿命。因此,对于需要高性能和高可靠性的工业应用而言,这是一个非常理想的选择。强烈推荐使用此型号 MOSFET 来实现高效稳定的电力转换和控制。

FQPF20N06L参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.027Ω@VGS = 10 V,ID = 18 A(typ)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 52W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 45A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQPF20N06L厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF20N06L数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF20N06L FQPF20N06L数据手册

FQPF20N06L封装设计

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