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VBA1203M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,3A,RDS(ON),300mΩ@10V,360mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-VBA1203M
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBA1203M

VBA1203M概述

    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管(FET),适用于多种电子应用。这款产品采用了先进的 TrenchFET® Power MOSFET 技术,具有高可靠性、高热稳定性和低导通电阻等特性,特别适合用于电源管理和驱动控制领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压 (VDS): 200 V
    - 连续漏极电流 (ID): 3 A (TJ = 175°C)
    - 最大耗散功率 (PD): 96 W (TC = 25°C)
    - 最大雪崩电流 (IAS): 6 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 18 mJ
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 静态参数
    - 断态漏源电压 (VDS): 200 V
    - 门阈电压 (VGS(th)): 2 V 至 4 V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1 μA (VGS = 0 V)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 1800 pF
    - 输出电容 (Coss): 180 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 80 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 34 nC 至 51 nC
    - 门开启延迟时间 (td(on)): 15 ns 至 25 ns
    - 上升时间 (tr): 50 ns 至 75 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 30 ns 至 45 ns
    - 下降时间 (tf): 60 ns 至 90 ns
    - 二极管参数
    - 单脉冲峰值电流 (ISM): 5 A
    - 正向电压降 (VSD): 0.9 V 至 1.5 V
    - 反向恢复时间 (trr): 180 ns 至 250 ns

    产品特点和优势


    - 高温性能: 能够承受高达 175°C 的结温,确保在极端环境下的可靠运行。
    - PWM 优化: 专为脉宽调制(PWM)优化设计,适用于各种开关电源应用。
    - 100% 测试: 每个产品均经过 100% 电阻测试,确保品质一致。
    - 符合 RoHS 规范: 符合欧盟的 RoHS 指令,环保无害。

    应用案例和使用建议


    - 主要应用领域:
    - 主开关电路
    - 开关电源管理
    - 驱动控制模块
    - 使用建议:
    - 在设计电源管理系统时,应考虑散热措施以避免过热问题。
    - 使用时需注意电压降额,特别是当 VDS 接近 200 V 时,应参考 SOA 曲线进行调整。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 本产品可与大多数标准电路板兼容,适用于 SO-8 封装的电路设计。

    - 支持:
    - 提供详尽的技术文档和支持,确保客户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 产品出现过热现象。
    - 解决方案: 检查散热系统是否正常工作,增加散热片或改进散热设计。

    - 问题 2: 正向电压降过高。
    - 解决方案: 检查产品是否处于额定工作范围内,确认连接是否正确。

    总结和推荐


    总体来看,这款 N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 具有卓越的性能和广泛的适用性,适用于多种电子设备中的开关电源管理和驱动控制。其高温耐受性和 PWM 优化特性使其成为市场上极具竞争力的产品之一。建议在设计开关电源和驱动控制电路时优先考虑此款 MOSFET。

VBA1203M参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 3A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@10V,360mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBA1203M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBA1203M数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBA1203M VBA1203M数据手册

VBA1203M封装设计

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