处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB054N08N3 G

IPB054N08N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263;N—Channel沟道,80V;120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=3.7V;
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB054N08N3 G

IPB054N08N3 G概述

    IPB054N08N3G N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPB054N08N3G 是一种N沟道功率MOSFET,主要应用于需要高电流和高效能转换的场合。该器件采用了ThunderFET®技术,能够承受高达175°C的结温,确保在极端环境下也能稳定运行。它适用于各种工业控制、电源管理和汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是IPB054N08N3G的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 80 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 4.5 | V |
    | 零门限电压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 µA |
    | 最大漏极电流(TC=25°C) | ID | - | 120 | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 225 | A |
    | 热阻抗(PCB安装) | RthJA | - | 40 | - | °C/W |
    | 最大结温 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. ThunderFET®技术:采用先进的ThunderFET®技术,能够实现低导通电阻和高电流能力。
    2. 高温耐受:结温可达175°C,适用于高温环境下的应用。
    3. 全面测试:100%的Rg和UIS测试,确保产品的可靠性。
    4. 紧凑封装:采用TO-263封装,便于在电路板上安装和布局。

    应用案例和使用建议


    IPB054N08N3G 在多种应用场景中表现优异,例如:
    - 电源管理:适用于直流到直流转换器、开关电源等场合。
    - 工业控制:可用于电机驱动、继电器控制等领域。
    - 汽车电子:适用于汽车点火系统、发动机管理系统等。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保驱动信号的稳定性和电流匹配,以充分利用器件的性能。
    - 考虑热管理措施,如增加散热片或优化散热路径,以防止过热。

    兼容性和支持


    IPB054N08N3G 与大多数标准电路设计兼容,适合与常见的控制器和驱动器配合使用。VBsemi公司提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减小门极电阻Rg |
    | 温度过高 | 添加散热片或优化散热设计 |
    | 寿命短 | 检查是否存在不良焊接或连接 |

    总结和推荐


    IPB054N08N3G N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率器件,特别适用于需要高电流和高效能转换的应用场景。其ThunderFET®技术、高温耐受能力和全面测试确保了其在复杂环境中的稳定运行。结合VBsemi提供的技术支持,我们强烈推荐这一产品用于各类工业和汽车电子项目。
    通过上述内容,我们可以清晰地了解到IPB054N08N3G 的特点和优势,以及它在不同应用场景中的具体表现。希望本文能帮助您更好地理解这款产品的特性和应用。

IPB054N08N3 G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB054N08N3 G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB054N08N3 G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB054N08N3 G IPB054N08N3 G数据手册

IPB054N08N3 G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504