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VBZM2N65S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,160A,RDS(ON),2mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: VBZM2N65S TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM2N65S

VBZM2N65S概述

    VBZM2N65S N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    VBZM2N65S 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用多种封装形式,包括 TO-220AB、TO-252 和 TO-251。该器件适用于多种高电压应用,如开关电源、电机驱动、照明控制和通信设备等。其主要特性包括高耐压、低导通电阻和良好的动态响应性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | - | 650 | - | V |
    | 栅源电压(VGS) | -20 | - | 20 | V |
    | 持续漏极电流(ID) | - | 2.0 | - | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | - | - | 10 | A |
    | 静态漏源击穿电压(VDS)| 650 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th))| 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅电压漏极电流(IDSS)| - | - | 100 | µA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 2.3 | - | Ω |
    | 输入电容(Ciss) | - | 660 | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | 86 | - | pF |
    | 反向传输电容(Crss) | - | 19 | - | pF |
    | 总门电荷(Qg) | - | 31 | - | nC |
    | 门源电荷(Qgs) | - | 4.6 | - | nC |
    | 门漏电荷(Qgd) | - | 17 | - | nC |

    产品特点和优势


    - 高电压隔离:VBZM2N65S 的漏源间额定耐压高达 650V,能够在高压环境下稳定工作。
    - 低热阻抗:其低热阻抗特性有助于高效散热,延长使用寿命并提高可靠性。
    - 动态性能良好:具备出色的动态 dv/dt 特性,适用于高频开关应用。
    - 可焊接性:无铅焊料选项,符合 RoHS 和卤素自由标准,适用于环保要求严格的应用场合。

    应用案例和使用建议


    VBZM2N65S 主要应用于各种高压开关电源和电机驱动系统。例如,在一个典型的开关电源设计中,该器件可用作主开关管,负责控制输出电压。根据手册中的测试结果和典型特性曲线,建议在选择合适的工作点时,考虑到热管理和负载变化对器件的影响。对于高电流应用,可以考虑并联多个器件以分散电流,确保整体系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    VBZM2N65S 与多种标准接口兼容,适用于广泛的电路板布局。制造商提供了详尽的技术支持文档,包括热管理指南和应用注意事项,确保用户能够在不同应用场景下有效利用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过载情况下,器件频繁烧毁。
    解决方案:检查散热系统是否有效,调整驱动电路的脉宽调制(PWM)占空比,避免过大的电流冲击。
    - 问题:启动时出现瞬态过压。
    解决方案:增加缓冲电路,如钳位二极管,以吸收瞬态能量。
    - 问题:在高频应用中,效率下降明显。
    解决方案:优化 PCB 设计,减少寄生电感,确保所有接地连接尽可能短且粗。

    总结和推荐


    综上所述,VBZM2N65S 在性能、可靠性和应用灵活性方面表现出色,非常适合用于高电压、高频和高功率密度的应用场合。我们强烈推荐此器件给需要高性能功率 MOSFET 的工程师和技术人员,其卓越的性能和广泛的适用范围将显著提升设计的效率和稳定性。

VBZM2N65S参数

参数
Id-连续漏极电流 160A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM2N65S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM2N65S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM2N65S VBZM2N65S数据手册

VBZM2N65S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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