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FDB3672_F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-FDB3672_F085 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDB3672_F085

FDB3672_F085概述

    FDB3672F085-VB Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDB3672F085-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具备低导通电阻、快速开关能力和高可靠性等特点,适用于多种电力电子应用领域,如电源转换、电机驱动和电池管理等。

    2. 技术参数


    以下是FDB3672F085-VB的主要技术规格和性能参数:
    - 电压参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 额定连续漏极电流 \( ID \): 70 A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 250 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 580 mJ
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \): 13 mJ
    - 峰值二极管恢复电压 \( dV/dt \): 5.0 V/ns
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.020 Ω (VGS=10V)
    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1300 pF (VGS=0V, VDS=25V, f=1.0 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 430 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 130 pF
    - 充电参数
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 70 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 13 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 39 nC
    - 开关时间
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 14 ns
    - 上升时间 \( tr \): 51 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 45 ns
    - 下降时间 \( tf \): 36 ns
    - 环境参数
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 热阻 \( R{thJA} \): 40 °C/W (PCB安装,稳态)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: \( R{DS(on)} \) 仅为0.020 Ω,使得在高电流应用中具有更低的功耗。
    - 快速开关能力: 开关时间和上升时间短,适用于高频应用。
    - 高可靠性: 全面雪崩额定值,可在极端条件下稳定运行。
    - 环保材料: 符合RoHS标准,无卤素,符合绿色环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: FDB3672F085-VB 在电源转换器中表现出色,尤其适用于需要高效率和高频率的应用场景。
    - 使用建议: 在设计电路时,应注意降低寄生电感,以减少开关过程中的电压尖峰。此外,合理选择散热片,以提高散热效果,延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: FDB3672F085-VB 可与多种标准封装的电路板兼容,便于集成。
    - 支持: 制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和故障排除手册,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过高的电压尖峰。
    - 解决方案: 使用低电感的布线和适当的栅极电阻,以减少寄生电感的影响。

    - 问题2: 散热不良导致器件过热。
    - 解决方案: 选择合适的散热片并确保良好的热传导路径,以提高散热效果。

    7. 总结和推荐


    FDB3672F085-VB 是一款高效、可靠的N沟道功率MOSFET,适用于各种电力电子应用。其低导通电阻和快速开关能力使其在高频电源转换器中表现优异。我们强烈推荐在需要高效率和可靠性的应用中使用该产品。

FDB3672_F085参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDB3672_F085厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDB3672_F085数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDB3672_F085 FDB3672_F085数据手册

FDB3672_F085封装设计

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