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IPP052N06L3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M--IPP052N06L3 G TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP052N06L3 G

IPP052N06L3 G概述

    IPP052N06L3 G-VB:一款高性能N沟道60V MOSFET
    IPP052N06L3 G-VB是一款由台湾VBsemi公司设计和生产的高性能N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子系统中。本文将详细介绍这款产品的技术规格、特性及其应用场景。

    产品简介


    IPP052N06L3 G-VB属于TrenchFET®系列的Power MOSFET,具有出色的电气特性和热性能。它采用TO-220AB封装形式,适用于多种电力转换和控制场合,如开关电源、电机驱动器、汽车电子等。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):60V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS=10V时:0.003Ω
    - 在VGS=4.5V时:0.009Ω
    - 连续漏极电流(ID):210A(TC=125°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):480A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):75A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):281mJ(TC=25°C)
    - 最大功率耗散(PD):375W(TC=125°C)

    产品特点和优势


    IPP052N06L3 G-VB的优势包括:
    - 低栅极电阻:0.5Ω至1.6Ω,有助于提高开关速度和效率。
    - 低热阻抗:RthJA为40°C/W,能有效散热,保证长期稳定运行。
    - 高可靠性:100%进行了Rg和UIS测试,确保产品质量。
    - 环保材料:符合RoHS指令2002/95/EC,且不含卤素,符合IEC 61249-2-21定义。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:由于其低导通电阻和高电流承载能力,非常适合用于高频开关电源中,以减少功耗并提高效率。
    - 电机驱动器:在电机驱动器中使用,可以提供稳定的电流输出,提高系统的可靠性和寿命。
    - 汽车电子:由于其高可靠性和宽工作温度范围(-55°C至+175°C),适用于汽车电子系统的动力控制系统。
    使用建议:
    - 在高电流和高温环境下使用时,建议增加散热措施,如使用散热片或水冷系统。
    - 注意不要超过绝对最大额定值,以避免损坏设备。

    兼容性和支持


    IPP052N06L3 G-VB兼容多种电路板和模块,易于集成到现有的电子系统中。VBsemi提供了详细的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用产品的所有功能。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确保设备在极端温度下的稳定性?
    - A:通过使用散热片或其他冷却方法来降低设备的工作温度。

    - Q:如果设备过热怎么办?
    - A:检查是否有良好的散热设计,并考虑使用更高效的散热材料或增加散热面积。

    总结和推荐


    IPP052N06L3 G-VB凭借其优异的电气特性和热性能,在电力电子领域有着广泛的应用前景。它的低导通电阻、高可靠性以及环保特性使其成为许多高要求应用的理想选择。对于需要高性能和高可靠性的用户来说,强烈推荐使用IPP052N06L3 G-VB。
    服务热线:400-655-8788
    IPP052N06L3 G-VB 的详细资料可在 [VBsemi官网](http://www.VBsemi.com) 查阅。

IPP052N06L3 G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP052N06L3 G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP052N06L3 G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP052N06L3 G IPP052N06L3 G数据手册

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