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ZVN2106GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.53Vth(V) 封装:SOT223
供应商型号: 14M-ZVN2106GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN2106GTA

ZVN2106GTA概述

    ZVN2106GTA-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZVN2106GTA-VB 是一款高性能的 N 沟道 60V 功率 MOSFET,采用 SOT-223-3 封装。该器件主要用于便携式设备中的负载开关,广泛应用于消费电子、计算机外围设备、移动通信及工业控制等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 最大门源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):在 TA = 25°C 时为 7.2A,在 TA = 70°C 时为 4.5A
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值为 30A
    - 最大功率耗散(PD):在 TA = 25°C 时为 3.0W,在 TA = 70°C 时为 1.6W
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C
    - 热阻抗
    - 最大结到环境热阻(RthJA):40°C/W 至 50°C/W
    - 最大结到引脚热阻(RthJF):15°C/W 至 20°C/W
    - 静态参数
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10V 时为 0.076Ω,在 VGS = 4.5V 时为 0.085Ω
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0V(典型值)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):81pF(典型值)
    - 输出电容(Coss):120pF(典型值)
    - 反向传输电容(Crss):100pF(典型值)
    - 总栅极电荷(Qg):22nC(典型值)

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料:ZVN2106GTA-VB 符合环保标准,无卤素,适合绿色电子产品制造。
    2. 高效能:低导通电阻(RDS(on)),适用于高效率电路设计。
    3. 快速响应:低栅极电荷(Qg),提高开关速度,减少开关损耗。
    4. 高可靠性:符合 RoHS 和 HALG-free 标准,提高长期运行稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:ZVN2106GTA-VB 作为便携式设备中的负载开关,可以有效提升系统效率和可靠性。
    - 电源管理:在电源管理系统中,ZVN2106GTA-VB 可以提供快速的开关控制,降低系统能耗。
    - 使用建议:在实际应用中,建议在高温环境下使用外部散热措施,如散热片或散热器,以确保最佳性能和延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZVN2106GTA-VB 与其他同类 MOSFET 具有良好的互换性,便于集成到现有设计中。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助用户解决应用中的技术难题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用散热片或风扇进行强制冷却。
    2. 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:检查 VGS 电压是否达到额定值,确保门极驱动电压合适。
    3. 问题:切换速度慢
    - 解决方案:确认门极电容和驱动电路是否合理,必要时增加门极电阻或优化驱动电路。

    总结和推荐


    ZVN2106GTA-VB N-Channel 60V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,适用于多种便携式设备的负载开关应用。其优秀的导通性能和快速的开关响应使其在各种场合下都能发挥出色的表现。强烈推荐给需要高效能和高可靠性的应用项目。
    本文基于 ZVN2106GTA-VB 的技术手册进行了详细的解析,希望能为您提供有价值的信息和参考。

ZVN2106GTA参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 33nC
最大功率耗散 4W
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 810pF
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 4.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVN2106GTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN2106GTA数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZVN2106GTA ZVN2106GTA数据手册

ZVN2106GTA封装设计

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