处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS630CA

JCS630CA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-JCS630CA TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS630CA

JCS630CA概述

    JCS630CA-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    JCS630CA-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率转换和开关电源等领域。它以其卓越的温度耐受性(高达 175°C 的结温)、优化的 PWM(脉冲宽度调制)性能和高可靠性而著称。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 管脚定义:G(栅极),D(漏极),S(源极)
    - 结温范围:-55°C 至 175°C
    - 极限参数:VDS(漏源电压)最高 200V,最大连续漏电流(TC=25°C)125A,最大单脉冲雪崩能量 18mJ
    - 静态参数
    - RDS(on):在 VGS=10V 时为 0.270Ω,随着温度升高,电阻值增加(在 125°C 和 175°C 下分别为 0.320Ω 和 0.410Ω)
    - 最小阈值电压 VGS(th):2V
    - 最大阈值电压 VGS(th):4V
    - 最大零门电压漏电流 IDSS:50μA(VGS=0V 时)
    - 动态参数
    - 最大输入电容 Ciss:800pF
    - 最大输出电容 Coss:110pF
    - 最大反向转移电容 Crss:80pF
    - 最大总栅极电荷 Qg:8nC
    - 开启延迟时间 td(on):15ns
    - 上升时间 tr:50ns
    - 关闭延迟时间 td(off):30ns
    - 下降时间 tf:60ns

    3. 产品特点和优势


    JCS630CA-VB 主要具有以下优势:
    - 高耐温性:能在极端温度环境下正常工作,最高可达 175°C
    - 优化的 PWM 性能:适用于需要高效率 PWM 驱动的应用场景
    - 全栅极电阻测试:确保每个产品均经过全栅极电阻测试,提供更高的可靠性和一致性
    - 符合 RoHS 标准:完全符合欧盟的 RoHS 指令,环保无污染

    4. 应用案例和使用建议


    JCS630CA-VB 适用于多种应用,如:
    - 作为初级侧开关,用于高效能的电源转换和控制
    - 在需要高可靠性、高温环境下工作的场合
    使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑散热设计以保持 MOSFET 的正常运行温度
    - 由于高耐温特性,可以应用于汽车电子、工业控制等领域

    5. 兼容性和支持


    JCS630CA-VB 支持标准 TO-220 封装,可轻松集成到现有设计中。VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持,帮助用户解决应用中的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 过热
    - 解决办法:改进散热设计,增加散热片或风扇,确保器件处于安全工作温度范围内
    - 问题:栅极损坏
    - 解决办法:在设计中加入保护电路,例如栅极电阻和二极管,防止过电压损坏

    7. 总结和推荐


    JCS630CA-VB 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,特别适合需要高可靠性和宽温度范围的应用场景。其高耐温性、优化的 PWM 性能和全栅极电阻测试使其在市场上具备显著的竞争优势。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的电源转换和开关控制应用中使用此产品。

JCS630CA参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS630CA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS630CA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS630CA JCS630CA数据手册

JCS630CA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.5496
库存: 100
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 7.74
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504