处理中...

首页  >  产品百科  >  TPC8032-H

TPC8032-H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,18A,RDS(ON),5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-TPC8032-H SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TPC8032-H

TPC8032-H概述

    TPC8032-H-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    TPC8032-H-VB 是一款 N 沟道 30V(D-S)MOSFET,主要用于高侧同步整流操作。这款 MOSFET 集成了多项先进技术,确保其在高效率和高可靠性方面表现出色,适用于笔记本电脑 CPU 核心高侧开关等应用场景。

    技术参数


    以下是 TPC8032-H-VB 的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C 时:15A
    - TC = 70°C 时:13A
    - 脉冲漏极电流 (DM):50A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时:4.5W
    - TC = 70°C 时:2.8W
    - 断态漏源击穿电压 (VDS):30V
    - 栅漏电 (IGSS):±100nA
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时:0.004Ω
    - VGS = 4.5V 时:0.005Ω
    - 输入电容 (Ciss):820pF
    - 输出电容 (Coss):195pF
    - 反向转移电容 (Crss):73pF
    - 总栅电荷 (Qg):6.8-23nC
    - 栅源电荷 (Qgs):2.5nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):2.3nC
    - 门电阻 (Rg):0.36-3.6Ω

    产品特点和优势


    TPC8032-H-VB 的显著特点包括:
    - 无卤素设计:符合 RoHS 和无卤素标准,更加环保。
    - 沟槽栅极技术:采用先进的 TrenchFET® 电源 MOSFET 技术,提高整体性能和可靠性。
    - 高效率:优化后的导通电阻 (RDS(on)),在不同工作条件下均能保持较低阻值,提高系统效率。
    - 严格测试:100% Rg 测试和 100% UIS 测试,保证产品的质量和稳定性。

    应用案例和使用建议


    TPC8032-H-VB 在笔记本电脑 CPU 核心高侧开关中的应用非常广泛。以下是一些使用建议:
    - 散热管理:由于其较高的热阻特性,应考虑增加散热片或优化 PCB 布局,以减少热阻。
    - 驱动电路设计:为了优化开关速度,可使用合适的栅极驱动器和外部电阻,以降低开关损耗。
    - 保护措施:为防止过压和过流,应在电路中加入适当的保护措施,如瞬态抑制二极管 (TVS)。

    兼容性和支持


    TPC8032-H-VB 可与其他同类电子元器件和设备兼容。厂商提供了全面的技术支持,包括详细的安装指南和应用文档。对于技术支持和维护需求,用户可以通过服务热线(400-655-8788)联系到厂商。

    常见问题与解决方案


    - 问题:工作温度范围有限制吗?
    - 解决方案:TPC8032-H-VB 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在较宽的温度范围内稳定工作。

    - 问题:如何判断产品是否损坏?
    - 解决方案:通过检查绝对最大额定值是否超出限制,可以初步判断。进一步验证可通过专用测试仪器进行。

    总结和推荐


    TPC8032-H-VB N 沟道 30V MOSFET 以其高效、可靠的特性,特别适合笔记本电脑 CPU 核心高侧开关等应用。该产品在技术参数、性能及环保性方面均有出色表现。因此,强烈推荐用户在相关应用场景中使用 TPC8032-H-VB。

TPC8032-H参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TPC8032-H厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TPC8032-H数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TPC8032-H TPC8032-H数据手册

TPC8032-H封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.013
库存: 100
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.06
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0