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JCS4N80FH

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,850V,5A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: JCS4N80FH TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS4N80FH

JCS4N80FH概述

    JCS4N80FH-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS4N80FH-VB 是一款高电压N通道功率MOSFET,适用于各种电力转换和控制应用。该产品以其高性能、高可靠性和易用性著称,在开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS)等领域具有广泛的应用。

    技术参数


    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 25°C 下 10 V VGS 时 25 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 最大值取决于最大结温
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 770 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 7.8 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 19 mJ
    - 最大功耗 (PD): 1.5 W/°C 线性降额因子
    - 结壳热阻 (RthCS): 0.24°C/W
    - 结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 动态dv/dt: 45 V/ns
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): 0 V 下 < 100 nA
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 栅漏电 (IGSS): ± 100 nA
    - 导通电阻 (RDS(on)): VGS = 10 V 时 2.40 Ω
    - 总栅电荷 (Qg): 28 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 5 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 12 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): < 100 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): < 100 ns
    - 反向恢复时间 (trr): < 20 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): < 21 μC
    - 体二极管正向电流 (ISM): 21 A
    - 体二极管正向电压 (VSD): 1.8 V

    产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 评级:能够在高动态条件下稳定工作。
    - 重复雪崩评级:保证在重复应力下的可靠性。
    - 隔离中央安装孔:便于散热管理。
    - 快速开关:减少开关损耗。
    - 易于并联:方便多个 MOSFET 并联使用。
    - 简单的驱动要求:降低系统复杂度和成本。
    - 符合 RoHS 指令:环保标准,满足欧盟要求。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:利用其低 RDS(on) 特性,提高效率。
    - 电机驱动:通过快速开关特性,减少电机的振动和噪声。
    - 不间断电源(UPS):通过高雪崩耐量确保系统的可靠性。
    使用建议:
    - 在高频应用中,选择适当的栅极电阻以优化开关性能。
    - 确保散热设计合理,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与多种驱动器和控制器兼容,可用于各种电力转换应用。
    - 支持:提供详细的技术手册和应用指南,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率过高导致过热。
    - 解决方案: 增加散热片,优化 PCB 设计,减少寄生电感。

    2. 问题: 开启延迟时间过长。
    - 解决方案: 减少栅极电阻,提高驱动电压。
    3. 问题: 关断延迟时间长。
    - 解决方案: 减少栅极电阻,优化电路布局。

    总结和推荐


    JCS4N80FH-VB N-Channel MOSFET 在高电压、高电流和高频应用中表现出色。其快速开关、低损耗和高可靠性使其成为电力电子领域的理想选择。推荐在各种电力转换和控制应用中使用,特别是在需要高效、可靠的电力处理场合。
    如需进一步技术支持或购买,请联系服务热线:400-655-8788 或访问官方网站 www.VBsemi.com 获取更多信息。

JCS4N80FH参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

JCS4N80FH厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS4N80FH数据手册

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JCS4N80FH封装设计

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