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NTR1P02LT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-NTR1P02LT3G SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTR1P02LT3G

NTR1P02LT3G概述


    产品简介


    NTR1P02LT3G-VB是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有良好的开关性能和较低的导通电阻。主要应用于负载开关、PA(功率放大器)开关以及DC/DC转换器等领域。这款MOSFET采用TO-236(SOT-23)封装,适合表面贴装,提供三种引脚配置(D、G、S),适用于各种紧凑型设计的应用。

    技术参数


    以下是NTR1P02LT3G-VB的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):20 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±12 V
    - 连续漏电流 (ID):-4 A @ TC=25°C,-3.2 A @ TC=70°C
    - 脉冲漏电流 (IDM):-10 A
    - 最大功率耗散 (PD):2.5 W @ TC=25°C,1.6 W @ TC=70°C
    - 最大结温 (TJ):-55°C至150°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.060 Ω @ VGS=-10 V,ID=-3 A;0.065 Ω @ VGS=-4.5 V,ID=-2.5 A;0.080 Ω @ VGS=-2.5 V,ID=-2 A
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS):-10 μA @ VDS=-20 V,VGS=0 V,TJ=55°C
    - 输入电容 (Ciss):835 pF @ VDS=-10 V,VGS=0 V,f=1 MHz
    - 输出电容 (Coss):180 pF
    - 反向转移电容 (Crss):155 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):10 nC @ VDS=-10 V,VGS=-4.5 V,ID=-3.1 A
    - 栅极电荷 (Qg):6.4 nC @ VDS=-10 V,VGS=-2.5 V,ID=-3.1 A

    产品特点和优势


    NTR1P02LT3G-VB的主要特点是低导通电阻和高速开关能力,使其适用于高频应用场合。此外,它还具备以下优势:
    - 低导通电阻:0.060Ω至0.080Ω,保证了高效能的电流传输。
    - 高可靠性:100% Rg测试确保产品质量。
    - 环保材料:符合RoHS标准,不含卤素。
    - 高热阻性能:最大结点到环境的热阻为75°C/W,确保长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于电源管理系统中的负载切换,提高系统的效率和稳定性。
    - PA开关:在射频应用中,可以作为功率放大器的开关,实现快速切换。
    - DC/DC转换器:用于电源管理,提升转换效率。
    使用建议
    - 散热管理:虽然该MOSFET具有较高的热阻性能,但在高功率应用中仍需注意适当的散热措施,如使用散热片或散热板。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路能够提供足够的栅极电压和电流,以保证MOSFET的快速开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTR1P02LT3G-VB与市面上大多数电路板兼容,特别适用于需要紧凑设计的场合。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供技术支持和售后服务,客户可以通过热线电话400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:开机后出现异常高温。
    - 解决方案:检查电路设计是否存在过载情况,增加散热措施。
    - 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方案:确保驱动电路能够提供稳定的栅极电压,检查并调整驱动信号的频率。
    - 问题:开关过程中出现抖动。
    - 解决方案:增加RC滤波电路,减少干扰。

    总结和推荐


    综上所述,NTR1P02LT3G-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,特别适用于负载开关、PA开关及DC/DC转换器等领域。其低导通电阻和快速开关能力使得该器件在许多应用场合中表现优异。如果您正在寻找一款性能稳定、可靠且环保的MOSFET,NTR1P02LT3G-VB将是您不错的选择。

NTR1P02LT3G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTR1P02LT3G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTR1P02LT3G数据手册

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NTR1P02LT3G封装设计

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