处理中...

首页  >  产品百科  >  XP151A13A0MR

XP151A13A0MR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-XP151A13A0MR SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) XP151A13A0MR

XP151A13A0MR概述

    XP151A13A0MR-VB N-Channel 20V MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    XP151A13A0MR-VB 是一款高性能的N沟道20V(D-S)MOSFET,采用TrenchFET®技术制造,能够提供低导通电阻(RDS(on))和高电流能力。该产品专为便携式设备和DC/DC转换器设计,广泛应用于负载开关、电池管理等领域。XP151A13A0MR-VB 具有环保特性,符合RoHS指令要求,且不含卤素,满足现代电子产品对环保和安全性的需求。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.028 Ω(VGS=4.5V)
    | 最大漏源电压(VDS) | 20 V
    | 持续漏极电流(ID) | 6 A
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | 20 A
    | 最大功率耗散(PD) | 2.1 W
    | 工作温度范围 | -55°C 至 +150°C
    | 热阻(RthJA) | 80°C/W
    该器件具备快速开关性能,典型开关时间如下:
    - 开启延迟时间(td(on)):8ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):31ns
    - 上升时间(tr):17ns
    - 下降时间(tf):8ns

    产品特点和优势


    1. 高效能:RDS(on)低至0.028Ω(VGS=4.5V),适合高效率电源管理。
    2. 环保合规:符合RoHS和无卤素标准,适用于绿色电子产品。
    3. 快速开关:具备优异的开关性能,可显著减少功耗并提高效率。
    4. 稳定性高:工作温度范围宽广(-55°C至+150°C),适合恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 便携式设备:如智能手机和平板电脑的电池管理模块。
    - DC/DC转换器:作为关键元件用于高效能量转换。
    使用建议:
    1. 在选择驱动电阻(Rg)时,建议使用1Ω至2.4Ω范围内的值以优化开关速度。
    2. 考虑热管理:在高功率应用中需增加散热片或优化PCB布局以降低热阻。
    3. 针对高频电路,适当优化电路板布局以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    XP151A13A0MR-VB 支持标准SOT-23封装,与同类器件高度兼容,便于替换升级。VBsemi 提供全面的技术支持和客户服务,确保客户能够顺利集成和调试产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 增加散热措施,如安装散热片或优化PCB布局 |
    | 驱动信号不足 | 调整驱动电阻(Rg)至合适值 |
    | 导通电阻异常升高 | 检查栅极电压(VGS)是否达到阈值 |

    总结和推荐


    XP151A13A0MR-VB是一款高性能、环保型的N沟道MOSFET,具有出色的导通电阻、快速开关性能及宽温工作范围,特别适合便携式设备和DC/DC转换器的应用场景。通过其优异的性能和兼容性,该器件能够在多种严苛环境中稳定运行。推荐在需要高效能、高可靠性的场合使用。
    联系VBsemi获取更多技术支持和服务:服务热线:400-655-8788;官网:www.VBsemi.com。

XP151A13A0MR参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 865pF@10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

XP151A13A0MR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

XP151A13A0MR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 XP151A13A0MR XP151A13A0MR数据手册

XP151A13A0MR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.1425
库存: 938
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 0.71
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336