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FQT7N10L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 14M-FQT7N10L SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQT7N10L

FQT7N10L概述

    FQT7N10L-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FQT7N10L-VB 是一款 N 沟道 100V(D-S)功率 MOSFET,属于 VBsemi 旗下的 TrenchFET® 系列。这款 MOSFET 的核心功能是实现高效开关,适用于各种高压和高频电力转换应用。它具有出色的热稳定性和低导通电阻,适合于电源管理、电机驱动、电池管理和各类转换器电路。

    技术参数


    - 最大栅源电压:±20 V
    - 最大漏源电压:100 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):5.0 A @ 25°C;3.5 A @ 70°C
    - 脉冲漏极电流:25 A
    - 零栅极电压漏极电流(TJ = 55°C):20 μA
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压:100 V @ ID = 250 μA
    - 栅阈电压:未明确范围
    - 栅体漏电:±100 nA @ VDS = 0 V,VGS = ±20 V
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷:18 nC 至 27 nC @ VDS = 50 V,VGS = 10 V,ID = 4.0 A
    - 门源电荷:3.4 nC
    - 门漏电荷:5.3 nC
    - 门电阻:0.5 Ω @ VGS = 0.1 V,f = 5 MHz
    - 温度范围:存储温度 -55°C 至 +175°C;工作温度范围同上
    - 封装类型:SOT-223
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻:36°C/W (瞬态) 至 45°C/W (稳态)
    - 最大结到引脚(漏极)热阻:17°C/W (稳态)

    产品特点和优势


    - 卤素无害:符合 IEC 61249-2-21 标准,对环境友好。
    - 低导通电阻:典型值为 0.100Ω @ VGS = 10 V,这使得该 MOSFET 在高电流条件下也能保持较低的功耗。
    - 高结温耐受能力:能够承受高达 175°C 的最大结温,非常适合恶劣环境下的应用。
    - 快速开关特性:优秀的动态参数如门电荷,确保了高效的开关操作。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于电源转换、逆变器、马达控制和电池管理系统等领域。例如,在一个典型的直流-直流转换器应用中,它可以作为关键开关元件,提高系统效率。
    - 使用建议:为了获得最佳性能,确保安装时 PCB 质量良好,特别是对于漏极散热。同时,要根据具体应用场景选择合适的驱动电路,以充分利用其快速开关的优势。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品可与大多数常见的驱动器和其他外围电路兼容。
    - 支持和维护:VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的文档资料和专业客户服务热线(400-655-8788),以便用户随时获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何正确安装此 MOSFET?
    - 解决方案:确保采用正确的焊接工艺,优先考虑散热措施,例如使用大面积铜箔。
    - 问题 2:为什么在高温环境下电流会降低?
    - 解决方案:请检查是否超过了 MOSFET 的最大工作温度,如果需要,增加散热片或改进散热设计。

    总结和推荐


    总体而言,FQT7N10L-VB 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,适用于各种高压电力转换应用。其低导通电阻、快速开关特性以及良好的温度稳定性使其在市场上具备较强的竞争力。我们强烈推荐在需要高效电源转换的应用中使用这款 MOSFET。

FQT7N10L参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQT7N10L厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQT7N10L数据手册

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FQT7N10L封装设计

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