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FQD6N40CTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-FQD6N40CTM TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD6N40CTM

FQD6N40CTM概述

    # FQD6N40CTM-VB N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本描述
    FQD6N40CTM-VB 是一款由VBsemi生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET,具有极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),特别适用于高效率功率转换应用。其结构紧凑且集成度高,适合广泛的应用领域。
    主要功能
    - 极低的开关损耗和导通损耗
    - 优异的输入电容(Ciss)表现
    - 支持多种开关模式电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)设计
    应用领域
    - 服务器与通信电源:高效能源转换解决方案
    - 照明系统:如高强度放电灯(HID)及荧光灯的驱动电路
    - 工业设备:包括电机控制和通用电源管理模块

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能指标汇总:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.70 | - | Ω |
    | 最大连续漏极电流 | ID | - | 100 | - | A |
    | 集电极电容 | Ciss | - | 1470 | - | pF |
    | 栅源电荷 | Qg | - | 16 | - | nC |
    | 极限温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    FQD6N40CTM-VB具备以下独特优势:
    - 极低的RDS(on)×Qg组合,优化开关效率;
    - 超低栅极电荷(Qg),降低驱动能耗;
    - 高可靠性与耐久性,支持高功率密度应用;
    - 紧凑型TO-252封装,便于集成。
    这些特性使其成为高性能功率管理的核心元件,尤其适用于需要高频切换的场合。
    4. 应用案例与使用建议
    应用场景
    1. 服务器电源系统:在高压降和高频率工作的环境中,提供稳定可靠的性能支持。
    2. LED驱动器:结合其高开关速度和低损耗特性,确保灯具的高效运行。
    使用建议
    为了最大化发挥FQD6N40CTM-VB的优势,在设计时应考虑以下几点:
    - 优化PCB布局以减少寄生效应;
    - 确保良好的散热机制来延长使用寿命;
    - 在极端条件下进行负载测试验证稳定性。
    5. 兼容性与支持
    该器件与标准SMPS架构完全兼容,并且VBsemi公司提供了详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户快速上手并解决实际问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过低 | 减少外部寄生电感 |
    | 频繁出现异常关断现象 | 检查是否存在短路状况 |
    | 工作温度超出限定范围 | 安装有效的散热片 |
    7. 总结与推荐
    FQD6N40CTM-VB凭借其卓越的技术指标和多样化应用场景,是现代电力电子设计的理想选择。对于追求高能效、高可靠性的项目而言,推荐选用此款MOSFET元件。通过合理设计和正确操作,可显著提升系统的整体性能。
    结论: 强烈推荐此款产品用于各种功率管理解决方案中。

FQD6N40CTM参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 360pF@100V
Rds(On)-漏源导通电阻 95mΩ@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 83W
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 20nC@ 10V
Id-连续漏极电流 4.5A
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD6N40CTM厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD6N40CTM数据手册

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