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NTD4804NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: NTD4804NT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD4804NT4G

NTD4804NT4G概述

    NTD4804NT4G-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD4804NT4G-VB 是一款N沟道30伏(D-S)功率MOSFET,采用TrenchFET技术。这款MOSFET具有高可靠性,所有样品均经过UIS测试并符合RoHS指令2011/65/EU。NTD4804NT4G-VB 主要用于OR-ing、服务器及DC/DC转换器等领域。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 30V
    - 最大门源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 持续漏极电流 \(ID\)(\(TJ = 175°C\)):
    - 在 25°C 时:100A
    - 在 70°C 时:35.8A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 300A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 94.8mJ
    - 最大功耗 \(PD\):
    - 在 25°C 时:235W
    - 在 70°C 时:165W
    - 静态特性
    - 击穿电压 \(V{DS}\): 30V
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 10V 门源电压下:0.002Ω
    - 在 4.5V 门源电压下:0.00Ω
    - 开启状态漏极电流 \(I{D(on)}\): 90A
    - 门源阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.5-2.5V
    - 门源泄漏电流 \(I{GSS}\): ±100nA
    - 动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 520pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 1525pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 770pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 151-227nC
    - 门极电阻 \(Rg\): 1.4-2.1Ω

    产品特点和优势


    NTD4804NT4G-VB 的主要特点包括:
    - 高导通电阻 \(R{DS(on)}\)
    - 高可靠性和严格的 UIS 测试
    - 符合 RoHS 指令,环保友好
    - 广泛应用于服务器、DC/DC转换器和OR-ing等关键领域
    这些特点使得它在市场上具备很高的竞争力,尤其适合于需要高效能和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    NTD4804NT4G-VB 可以在多种应用场景中发挥重要作用,例如:
    - 服务器: 提供高效的电源管理和负载均衡
    - DC/DC转换器: 实现稳定的电压转换,提高效率
    - OR-ing: 用于冗余电源系统,确保系统的可靠运行
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免过热导致性能下降
    - 使用合适的门极驱动电路,以减少开关损耗
    - 结合其他组件(如电容、电阻)优化电路设计

    兼容性和支持


    NTD4804NT4G-VB 与大多数常见的服务器和DC/DC转换器板卡兼容。制造商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、技术支持热线(400-655-8788)和定期的技术更新。此外,用户可以通过访问官方网站 www.VBsemi.com 获取最新的产品资料和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的门源电压可能导致损坏。
    - 解决方案: 确保 \(V{GS}\) 不超过 ±20V。

    - 问题: 工作温度过高影响性能。
    - 解决方案: 使用散热片或散热风扇进行散热,确保工作温度不超过最大额定值。

    总结和推荐


    NTD4804NT4G-VB 是一款高性能的N沟道30伏MOSFET,具有高导通电阻、可靠性和环保特性。它在多种应用场合中表现出色,特别适用于服务器、DC/DC转换器及OR-ing等场合。我们强烈推荐使用这款产品,因为它能够提供高效、稳定且可靠的电力管理解决方案。

NTD4804NT4G参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD4804NT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD4804NT4G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD4804NT4G NTD4804NT4G数据手册

NTD4804NT4G封装设计

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