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VBZM10N65S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: VBZM10N65S TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM10N65S

VBZM10N65S概述

    N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 650V(D-S)Super Junction Power MOSFET 是一种高效率、低损耗的功率半导体器件,主要用于电力转换和控制。其主要功能包括:
    - 低通态电阻(Ron),可有效降低开关损耗和导通损耗。
    - 低输入电容(Ciss),有助于提高开关速度。
    - 超低栅极电荷(Qg),进一步减少开关损耗。
    - 反向恢复特性优良。
    应用领域主要包括:
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明(如高强度放电灯和荧光灯球)
    - 工业应用

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 通态电阻 | RDS(on) | - | 0.5 | - | Ω |
    | 电荷 | Qg | - | 38 | 56 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 4 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 4.2 | - | nC |
    | 连续漏电流 | ID | - | 10 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 132 | - | mJ |
    其他关键参数包括:
    - 输入电容:680 pF
    - 输出电容:63 pF
    - 有效输出电容(时间相关):113 pF
    - 雪崩能量:132 mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低通态电阻:典型值为0.5 Ω,显著降低开关损耗和导通损耗。
    - 超低栅极电荷:典型值为38 nC,减少开关损耗。
    - 低输入电容:典型的输入电容为680 pF,提高了开关速度。
    - 优秀的反向恢复特性:快速且高效的反向恢复能力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器电源中,通过低损耗的MOSFET来提高能效和可靠性。
    - 在荧光灯球的驱动电路中,用于PFC和照明控制,减少能源浪费。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,应考虑选择合适的栅极驱动电阻,以优化开关性能。
    - 在工业应用中,应注意散热管理,以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    该产品适用于多种封装形式(如TO-220AB、TO-252等),确保与其他标准电源模块的兼容性。制造商提供详细的技术支持,包括电路设计指导和样品测试服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:启动时发热严重怎么办?
    - A:优化电路布局,确保良好的散热路径,并采用适当的散热措施。
    - Q:开关频率不稳定怎么办?
    - A:检查栅极驱动电路,确保稳定的栅极驱动信号。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET凭借其卓越的性能和高可靠性,在各种高要求的应用中表现出色。强烈推荐在需要高效率和低损耗的电力转换应用中使用此产品。

VBZM10N65S参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 10V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM10N65S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM10N65S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM10N65S VBZM10N65S数据手册

VBZM10N65S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
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1000+ ¥ 3.3111
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