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FDP5N50NZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-FDP5N50NZ TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDP5N50NZ

FDP5N50NZ概述

    FDP5N50NZ-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDP5N50NZ-VB 是一款适用于开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它主要用于离线SMPS拓扑,包括主动钳位前馈(Active Clamped Forward)和其他主开关应用。该产品具有低栅极电荷(Qg),改进的栅极耐受性、雪崩耐受性和动态dv/dt耐受性,使得驱动要求简单且可靠性高。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | - | 600 | - | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±30 | - | ±30 | V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 8.0 | - | 5.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | - | - | 37 | A |
    | 最大功率耗散 (PD) | - | - | 170 | W |
    | 最大结到环境热阻 (RthJA) | - | 62 | - | °C/W |
    | 栅源充电 (Qgs) | - | 13 | - | nC |
    | 栅漏充电 (Qgd) | - | 20 | - | nC |
    | 开启延迟时间 (td(on)) | - | 13 | - | ns |
    | 关闭延迟时间 (td(off)) | - | 30 | - | ns |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷意味着简单的驱动需求,减少功耗和提高效率。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性:这提高了产品的可靠性和耐用性。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特性:这些特性使产品在各种条件下都能保持稳定表现。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源(SMPS):广泛用于计算机电源适配器、服务器电源等领域。
    - 不间断电源(UPS):为关键负载提供持续电力供应。
    使用建议:
    - 在高频率开关应用中,考虑选择更低栅极电荷的产品以减少损耗。
    - 确保正确的散热措施以防止过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDP5N50NZ-VB 适用于各种标准封装,如TO-220AB。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户在使用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查驱动电路并确保栅极电阻正确 |
    | 高温时稳定性差 | 确认散热措施符合规范 |
    | 漏电流过大 | 重新检查电路连接 |

    总结和推荐


    总结:
    - 优点:FDP5N50NZ-VB 功率MOSFET 具有低栅极电荷、良好的栅极耐受性和高可靠性,非常适合开关电源和不间断电源的应用。
    - 缺点:需要注意适当的散热措施,以避免过热影响寿命。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用 FDP5N50NZ-VB 功率MOSFET,尤其适用于需要高效率和稳定性的应用场合。

FDP5N50NZ参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.4nF
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDP5N50NZ厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDP5N50NZ数据手册

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型号 价格(含增值税)
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