处理中...

首页  >  产品百科  >  VBJ1203M

VBJ1203M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,3A,RDS(ON),320mΩ@10V,384mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 14M-VBJ1203M
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBJ1203M

VBJ1203M概述

    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 是一种高性能的TrenchFET®功率MOSFET。它专为脉冲宽度调制(PWM)优化设计,具有出色的电气特性和可靠性。这种MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDS): 200 V
    - 静态漏源击穿电压(VDS): 200 V
    - 漏极连续电流(TJ = 175°C): 3 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 10 A
    - 最大耗散功率(TC = 25°C): 96 W
    - 工作温度范围: -55°C 到 175°C
    - 极限参数:最大栅源电压(VGS)±20 V

    - 热阻
    - 结点到环境热阻(RthJA): 15°C/W
    - 结点到外壳(漏极)热阻(RthJC): 0.85°C/W

    - 电气特性
    - 栅阈值电压(VGS(th)): 2-4 V
    - 开态漏极电流(ID(on)): 40 A(VDS = 5 V, VGS = 10 V)
    - 开态漏源电阻(RDS(on)): 0.283Ω(VGS = 10 V, ID = 3 A)

    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss): 1800 pF(VGS = 0 V, VDS = 25 V, F = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss): 180 pF
    - 反向转移电容(Crss): 80 pF
    - 总栅电荷(Qg): 34-51 nC

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:提供更低的导通电阻和更高的效率。
    - 高温稳定性:可在高达175°C的结温下正常工作。
    - 高可靠性:通过100% Rg测试,保证产品质量。
    - 符合RoHS标准:环保无铅设计,满足欧盟标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET适用于开关电源、逆变器、电机驱动等场合。例如,在开关电源中作为初级侧开关,实现高效的能量转换。
    - 使用建议:
    - 确保散热设计良好,特别是在高温环境下运行时。
    - 使用合适的栅极电阻以优化开关速度。
    - 注意电路板布局,避免寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用SOT-223封装,易于安装在标准电路板上。
    - 支持:台湾VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开启延迟时间过长。
    - 解决方案:检查栅极电阻(Rg),确保其在合理范围内。
    - 问题2:导通电阻异常增大。
    - 解决方案:检查工作温度,确保在规定范围内。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 是一款高性能的功率MOSFET,适用于多种应用场景。其低导通电阻、高可靠性及广泛的温度适应性使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐在需要高效能开关的应用中使用该产品。

VBJ1203M参数

参数
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 3A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 320mΩ@10V,384mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBJ1203M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBJ1203M数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBJ1203M VBJ1203M数据手册

VBJ1203M封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.43
库存: 50
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 7.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504