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FDB035AN06A0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-FDB035AN06A0 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDB035AN06A0

FDB035AN06A0概述

    FDB035AN06A0-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDB035AN06A0-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品主要用于高效率电源转换器、马达驱动、工业控制和其他需要高性能和稳定性的场合。其核心特性是采用了TrenchFET®技术,能够提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力。

    技术参数


    FDB035AN06A0-VB 的关键技术参数如下:
    - 额定电压(VDS): 60V
    - 最大栅极源极电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID): 65A (TC = 125°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 350A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 65A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 211mJ
    - 最大功率耗散(PD): 220W (TC = 25°C), 70W (TC = 125°C)
    - 热阻(RthJA): 40°C/W
    - 绝对最大温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    FDB035AN06A0-VB 具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)): 在VGS = 10V时,RDS(on)仅为4mΩ,适用于高效能应用。
    - 快速开关特性: 具备出色的动态特性,如低输入电容(Ciss),输出电容(Coss)和反向转移电容(Crss)。
    - 抗雪崩能力: 高达211mJ的雪崩能量,提高了电路可靠性。
    - 低热阻: 热阻为40°C/W,确保良好的散热性能。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的信息,FDB035AN06A0-VB 可以用于多种应用场合,例如:
    - 直流到直流转换器: 利用其低导通电阻和快速开关特性提高效率。
    - 马达驱动器: 适用于需要高速响应的电机控制系统。
    - 电池管理: 可用于锂电池充放电保护电路中,提高系统稳定性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保栅极驱动信号在±20V范围内,避免过压损坏。
    - 在高温环境下使用时,考虑增加散热片以降低热阻。

    兼容性和支持


    - 封装形式: TO-263 (D2PAK),提供了良好的机械和热性能。
    - 厂家支持: 提供在线技术支持和服务热线(400-655-8788),并承诺在产品质量方面承担责任。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 栅极电压超过限制。
    - 解决方法: 使用合适的栅极驱动器,确保VGS不超过±20V。
    - 问题: 过载导致器件损坏。
    - 解决方法: 使用过流保护电路,如保险丝或限流电阻,确保电流不超过器件的最大允许值。

    总结和推荐


    综上所述,FDB035AN06A0-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电力电子应用。其低导通电阻和出色的动态特性使其成为高性能电源转换和电机驱动系统的理想选择。强烈推荐在需要高效率和可靠性的电路中使用此产品。
    建议:
    - 对于需要高频切换和大电流应用的设计,FDB035AN06A0-VB 是一个优秀的解决方案。
    - 用户在使用前需详细阅读手册,确保正确安装和操作,以发挥最佳性能。

FDB035AN06A0参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDB035AN06A0厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDB035AN06A0数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDB035AN06A0 FDB035AN06A0数据手册

FDB035AN06A0封装设计

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