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2N7002CK

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-2N7002CK SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N7002CK

2N7002CK概述


    产品简介


    2N7002CK-VB N-Channel 60-V MOSFET
    2N7002CK-VB 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和高速开关特性。该器件适用于各种逻辑电平接口及驱动应用,特别适合于电池供电系统和固态继电器等领域。它采用表面贴装技术(SOT-23封装),易于集成到现有电路设计中。

    技术参数


    主要技术规格:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):60V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \):1V~2.5V(典型值:2V)
    - 漏极连续电流 \( ID \):250mA(TJ=150°C时)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):800mA(最大)
    - 最大耗散功率 \( PD \):0.30W(TJ=25°C时),0.13W(TJ=100°C时)
    - 热阻 \( R{thJA} \):350°C/W
    电气特性:
    - 低输入电容 \( C{iss} \):25pF
    - 快速开关速度:25ns
    - 低输入和输出泄漏电流
    - 兼容ROHS标准

    产品特点和优势


    特点:
    - 零偏移电压
    - 低电压操作
    - 不需要缓冲驱动
    - 高速电路适用
    - 低误差电压
    优势:
    - 低导通电阻
    - 支持低电压操作
    - 易于驱动
    - 适用于高速电路
    - 低误差电压

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
    - 驱动器:继电器、电磁阀、灯泡、锤子、显示器、内存、晶体管等
    - 电池供电系统
    - 固态继电器
    使用建议:
    - 在驱动感性负载(如电磁阀)时,建议添加外部保护二极管,以防止瞬态电压对MOSFET的损害。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,避免超过最大允许温度。
    - 配合其他逻辑电平接口使用时,确保信号电平匹配,以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    - 2N7002CK-VB 支持常见的逻辑电平接口,如TTL/CMOS。
    - 该器件兼容RoHS标准,适用于绿色环保的应用场景。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,如有疑问可联系服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何选择合适的驱动电路?
    - 解决方案:确保驱动电路能提供足够的栅极电压和电流。例如,若需快速开关,则选择低阻抗驱动器。
    2. 如何处理散热问题?
    - 解决方案:使用散热片或热管,或增加电路板面积以提高散热效果。确保器件不超过最大允许温度。
    3. 如何减少导通电阻的影响?
    - 解决方案:选择较低导通电阻的型号,或在应用中合理布局以减小导通路径上的电阻。

    总结和推荐


    综合评估:
    2N7002CK-VB 在低电压操作、高开关速度和低导通电阻方面表现出色,特别适合于逻辑电平接口和驱动应用。它的低偏移电压和低误差电压使其成为许多高速电路的理想选择。总体而言,这是一款性价比高的MOSFET产品。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的适用性,强烈推荐2N7002CK-VB用于各种电池供电系统和高速电路设计。无论是开发新的项目还是替换现有产品,它都是一个值得考虑的可靠选择。

2N7002CK参数

参数
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 300mW
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 1.09nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 300mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2N7002CK厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N7002CK数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N7002CK 2N7002CK数据手册

2N7002CK封装设计

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