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FQP8N60C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-FQP8N60C TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP8N60C

FQP8N60C概述

    FQP8N60C-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQP8N60C-VB 是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),适用于多种电力电子应用。它具有低门极电荷Qg,简化驱动要求,并提高了门极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性。这些特性使其在开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和其他高速功率转换应用中表现出色。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):600V
    - 导通电阻 (RDS(on)):VGS = 10V 时 0.780Ω
    - 最大门极电荷 (Qg max.):49nC
    - 门极电荷 (Qgs):13nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):20nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):600V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续栅极功耗 (Pulsed Drain Current IDM):8.0A(VGS = 10V, TC = 25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):290mJ
    - 最大功耗 (PD):TC = 25°C 时 170W
    - 峰值二极管恢复速率 (Peak Diode Recovery dV/dt):5.0V/ns

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷Qg:使得驱动需求简化。
    2. 提高的鲁棒性:门极、雪崩和动态dV/dt。
    3. 完全特征化的电容和雪崩电压电流:确保在不同条件下的可靠运行。
    4. 适用于多种离线SMPS拓扑:如主动钳位正激、主开关等。

    应用案例和使用建议


    FQP8N60C-VB 在电力电子系统中的主要应用包括开关电源、不间断电源和高频率功率转换。在具体设计中,用户可以利用其优秀的电气特性和高可靠性来提升系统的整体效率和稳定性。特别是在高电压应用中,应确保电路设计能够有效散热,并遵循推荐的焊接温度和扭矩要求。

    兼容性和支持


    此产品与其他同类N沟道MOSFET具有良好的兼容性,可以方便地替代现有设计中的同类产品。厂商提供了详细的技术支持和维护信息,包括焊接温度和扭矩推荐,以确保产品的最佳性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保在高温环境下长期稳定工作?
    - 解答:通过合理选择散热器,并保持良好的热管理,可以有效控制温度。参考手册中的热阻参数(如RthJA = 62°C/W),确保最高结温不超过150°C。
    - 问题:如何确定正确的门极电压?
    - 解答:根据具体应用需求和负载条件,选择合适的门极电压。通常VGS应在阈值电压以上,以确保足够的导通电流。
    - 问题:在开关过程中出现异常噪声,可能的原因是什么?
    - 解答:可能是由于门极驱动电路不够强大,或者电路布局中存在过多的杂散电感。建议使用适当的门极电阻,并采用具有良好接地平面的设计。

    总结和推荐


    FQP8N60C-VB MOSFET 是一款非常适合于高压、高频应用的功率MOSFET。它的低门极电荷、高雪崩耐受性和优异的开关特性使其在多种电力电子系统中表现出色。无论是用于电源转换还是其他电力管理应用,这款产品都值得推荐。然而,在使用前务必仔细阅读并遵循厂商提供的所有建议和规范。

FQP8N60C参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP8N60C厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP8N60C数据手册

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FQP8N60C封装设计

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