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FDG410NZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),22mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: 14M-FDG410NZ SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDG410NZ

FDG410NZ概述

    FDG410NZ-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDG410NZ-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 30V(漏极-源极)功率 MOSFET。它具有低导通电阻(低 RDS(on)),能够在高频开关应用中表现出色。此产品符合无卤素标准(IEC 61249-2-21 定义)以及 RoHS 指令(2002/95/EC),适用于直流/交流转换器及高速开关应用。

    2. 技术参数


    以下是根据手册提取的主要技术规格和性能参数:
    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 (ID):
    - 在 25°C 下: 4.5A
    - 在 70°C 下: 4.0A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 25A (持续时间 ≤ 300μs)

    - 温度参数
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 到 150°C
    - 热阻参数
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 75°C/W(最大)
    - 最大结至脚(漏极)稳态热阻 (RthJF): 40°C/W(最大)
    - 电气参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 3.5A 时: 0.023Ω
    - VGS = 4.5V, ID = 3A 时: 0.027Ω
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = 15V, VGS = 4.5V 时: 4.2nC(典型值)

    3. 产品特点和优势


    FDG410NZ-VB 的独特功能和优势如下:
    - 低导通电阻: 在不同 VGS 和 ID 条件下表现出极低的 RDS(on),从而降低功耗。
    - 高频率操作: 适合用于高速开关应用,能有效提升系统效率。
    - 100% Rg 测试: 确保产品的质量和可靠性。
    - 无卤素和 RoHS 合规: 符合环保要求,适合广泛应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 该 MOSFET 主要应用于直流/交流转换器、高速开关电路。
    - 使用建议:
    - 散热设计: 由于功耗较大,建议进行良好的散热设计,例如采用散热片或者增加散热面积。
    - 驱动电路: 为了更好地控制和驱动 MOSFET,建议使用合适的栅极电阻来限制电流并保护 MOSFET。

    5. 兼容性和支持


    FDG410NZ-VB 支持多种封装形式,包括 SOT-363 和 SC-70 (6-LEADS),确保与多种 PCB 布局相兼容。VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括故障排查、应用指南和软件工具等。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 高温下的稳定性问题: 高温环境下,MOSFET 可能出现性能下降。
    - 电磁干扰问题: 在高频开关应用中可能产生电磁干扰。
    解决方案:
    - 增加散热措施: 使用散热片或增强 PCB 散热。
    - 屏蔽处理: 在 PCB 设计中增加屏蔽层或使用金属罩来减少电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    FDG410NZ-VB 作为一款高性能 N-Channel 30V MOSFET,在低导通电阻、高频率操作和环保合规方面表现出色。特别适合于需要高效能、低功耗的应用场合。强烈推荐在直流/交流转换器和高速开关电路中使用,以发挥其卓越的性能和可靠性。同时,建议用户仔细阅读技术手册并遵循制造商的指导进行安装和调试。

FDG410NZ参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 2.5W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 424pF
Rds(On)-漏源导通电阻 30pF@25V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 2nC@ 4.5V
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDG410NZ厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDG410NZ数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDG410NZ FDG410NZ数据手册

FDG410NZ封装设计

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