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FDC658P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-FDC658P SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDC658P

FDC658P概述

    FDC658P-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDC658P-VB 是一款P沟道30V(漏源电压)的功率MOSFET。该产品属于TrenchFET®系列,特别适用于负载开关等应用。它具有出色的电气特性和高可靠性,能够在各种工业和消费电子产品中发挥关键作用。

    2. 技术参数


    以下是FDC658P-VB的主要技术规格和性能参数:
    - 漏源电压 (VDS):-30 V
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):-4.8 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-20 A
    - 最大功率耗散 (PD):3.0 W(TC = 25°C)
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):55 °C/W(TC = 25°C)
    - 关态电阻 (RDS(on)):在VGS = -10 V时为0.049 Ω,VGS = -4.5 V时为0.054 Ω
    - 总门电荷 (Qg):典型值为5.1 nC,最大值为8 nC

    3. 产品特点和优势


    FDC658P-VB具备以下几个显著特点和优势:
    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准,适用于对环保要求较高的应用场合。
    - 低导通电阻:RDS(on) 低至0.049 Ω,提供高效能且低损耗的开关能力。
    - 高可靠性:经过严格的设计验证,确保在极端工作条件下的稳定性和可靠性。
    - 快速开关速度:优异的动态特性,使得该器件适合高速开关应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:在负载开关中,FDC658P-VB可以用于控制电路中的电流流动,保护下游电路免受过载损害。
    - 电源管理:可作为电源转换器的关键组件,实现高效能量管理和快速响应。
    - 驱动器应用:在电机驱动器和其他驱动器应用中,FDC658P-VB能够实现精确的电流控制。
    使用建议:
    - 在选择合适的散热片和散热器时,考虑到器件的最大功率耗散和工作温度范围。
    - 确保电路设计中考虑适当的旁路电容以优化高频开关性能。
    - 注意避免超过绝对最大额定值,以免造成器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    FDC658P-VB与其他电子元器件的兼容性良好,可以方便地集成到多种电路板设计中。厂商提供了全面的技术支持和服务,包括产品手册、应用笔记和技术咨询,以帮助客户更好地使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:器件在高温环境下工作时表现不稳定。
    解决方案:确保良好的散热设计,使用更大尺寸的散热片或添加风扇等辅助冷却措施。
    - 问题:开启延迟时间较长。
    解决方案:检查门极电阻(Rg)的值,适当减小Rg可以加快开启速度。
    - 问题:器件在高频开关条件下出现损耗。
    解决方案:优化旁路电容布局,减少寄生电感的影响。

    7. 总结和推荐


    FDC658P-VB是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,适用于多种应用场景,特别是在需要高效能和低损耗的环境中表现出色。其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为众多工业和消费电子产品中的理想选择。强烈推荐使用该产品进行电路设计和开发。如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788,或访问我们的官方网站:www.VBsemi.com。

FDC658P参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 4A,10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 12nC@ 5V
最大功率耗散 1.6W(Ta)
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDC658P厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDC658P数据手册

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FDC658P封装设计

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