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NTD4906NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NTD4906NT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD4906NT4G

NTD4906NT4G概述

    NTD4906NT4G-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD4906NT4G-VB 是一款 N 沟道 30V (D-S) 功率 MOSFET,采用 TrenchFET 技术制造。它广泛应用于电源管理、服务器和 DC/DC 转换器等领域。其卓越的性能和高可靠性使其成为现代电力电子设计的理想选择。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C): 25.8 A (TC = 25 °C), 22 A (TC = 70 °C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 9 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C): 205 W
    - 最大接点到环境热阻 (RthJA): 32-40 °C/W
    - 工作接点温度范围: -55 至 175 °C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时: 0.005 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V 时: 0.006 Ω
    - 门限电压 (VGS(th)): 1.0 V - 2.5 V
    - 输入电容 (Ciss): 525 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 270 pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 在 VDS = 15 V, VGS = 10 V 时: 61 nC
    - 在 VDS = 15 V, VGS = 4.5 V 时: 31.5 nC
    - 开启延时时间 (td(on)):
    - 在 VDD = 15 V, RL = 0.625 Ω 时: 18 ns - 27 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)):
    - 在 VDD = 15 V, RL = 0.67 Ω 时: 55 ns - 83 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高效能: NTD4906NT4G-VB 具有非常低的 RDS(on),即使在低栅源电压下也能保持高效的电流传输能力。
    - 高温适应性: 最大接点温度范围为 -55°C 到 175°C,确保在极端环境下的稳定运行。
    - 鲁棒性: 支持单脉冲雪崩电流和能量,提高了设备的可靠性。
    - 环保认证: 符合 RoHS 和无卤素标准,适合绿色电子产品的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 服务器: NTD4906NT4G-VB 可用于服务器电源管理,提高系统效率并减少能耗。
    - DC/DC 转换器: 在 DC/DC 转换器中,它能提供稳定的电流传输,降低损耗。

    - 使用建议:
    - 散热管理: 由于最高功率耗散可达 205 W,建议采用适当的散热措施以避免过热。
    - 电路布局: 在设计 PCB 时,应合理安排元件布局,保证足够的走线宽度和间距,以减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NTD4906NT4G-VB 适用于多种电子设备,特别是需要高效能和高可靠性的地方。
    - 支持: 供应商提供详细的技术支持文档和在线技术支持,帮助用户解决安装和调试过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备启动时出现过热现象。
    - 解决方案: 确保设备有良好的散热设计,必要时可增加散热片或风扇。
    - 问题: 电路中出现异常电压。
    - 解决方案: 检查电路中的其他组件,确保其符合设计要求。同时检查栅极驱动信号是否正确。

    7. 总结和推荐


    NTD4906NT4G-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合于服务器、电源管理和 DC/DC 转换器等应用。它的低 RDS(on) 和高功率处理能力使其在电力电子设计中具有显著优势。考虑到其出色的应用表现和制造商提供的优质支持,我们强烈推荐此产品。

NTD4906NT4G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTD4906NT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD4906NT4G数据手册

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