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VBL2157N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-150V,-30A,RDS(ON),65mΩ@39V,7020Vgs(±V);-1~-4Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-VBL2157N TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL2157N

VBL2157N概述


    产品简介


    VBL2157N是一款P沟道功率MOSFET,具有较高的耐压能力(VDS为150V)和低导通电阻(RDS(on))。这款器件主要用于高压直流开关电源、电机驱动、逆变器等应用领域。它的设计旨在提供高效的电力转换和控制,特别适用于需要高可靠性及高性能的工业和消费电子应用。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS): 150V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V时: 0.065Ω
    - VGS = -4.5V时: 0.070Ω
    - 连续漏极电流 (ID): -40A
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 漏极-源极电压 (VDS): -150V
    - 连续漏极电流 (ID): -40A (25°C), -25A (125°C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): -22A
    - 单脉冲雪崩能量 (AES): 103mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 75W (25°C), 37W (125°C)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on)仅为0.065Ω(VGS = -10V),这使得VBL2157N在低功耗应用中表现出色。
    2. 高可靠性:100%经过Rg和UIS测试,确保在各种条件下都能稳定工作。
    3. 环保合规:符合RoHS和IEC 61249-2-21标准,无卤素。
    4. 低热阻封装:有助于快速散热,提高器件使用寿命。

    应用案例和使用建议


    VBL2157N广泛应用于高压直流开关电源、电机驱动、逆变器等场景。在这些应用中,它能够有效地降低能耗并提高系统的整体效率。
    - 开关电源:在需要高压、大电流的应用中,VBL2157N可以显著减少功耗,提升能效。
    - 电机驱动:其高可靠性和低导通电阻使其成为电机驱动应用的理想选择。
    - 逆变器:在光伏逆变器和UPS系统中,其优异的电气性能可以提高系统的稳定性。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热设计,以避免过热现象的发生。
    - 建议进行详细的负载和散热模拟,确保系统能够在预期的工作温度范围内正常运行。

    兼容性和支持


    VBL2157N采用D2PAK (TO-263)封装,具有良好的互换性和兼容性,适合现有的PCB布局。VBsemi公司为其提供了全面的技术支持,包括详尽的产品文档和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定器件的最大电流能力?
    - A: 根据技术手册中的绝对最大额定值表格,可以查看器件的最大连续漏极电流和单脉冲雪崩电流。

    - Q: 如何优化散热?
    - A: 使用大面积的散热片,并保证良好的气流通道,以促进热量快速散逸。还可以考虑采用辅助散热装置如风扇或水冷系统。

    总结和推荐


    综上所述,VBL2157N凭借其低导通电阻、高可靠性及环保特性,在多种高压、大电流应用中表现出色。其出色的性能和广泛的适用范围使其成为市场上极具竞争力的产品之一。我们强烈推荐在需要高压直流开关电源、电机驱动和逆变器等应用中使用VBL2157N。
    如有更多疑问或需求,请联系VBsemi客户服务热线:400-655-8788。

VBL2157N参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-4V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 39V
配置 -
Id-连续漏极电流 30A
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL2157N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL2157N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL2157N VBL2157N数据手册

VBL2157N封装设计

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