处理中...

首页  >  产品百科  >  FDG6320C

FDG6320C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±20V,2.5/-1.5A,RDS(ON),130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,20Vgs(±V);±0.6~2Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: 14M-FDG6320C SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDG6320C

FDG6320C概述

    FDG6320C-VB N-Channel and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDG6320C-VB 是一款N通道和P通道20 V(漏源电压)MOSFET,适用于便携式设备中的负载开关。这款MOSFET集成了先进的沟槽技术(TrenchFET),能够在较低栅极电压下运行,并且具有良好的热稳定性,适合于各种便携式和高可靠性应用。

    技术参数


    以下是FDG6320C-VB的技术规格和关键性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): ±20 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - N通道: 3.28 A
    - P通道: 2.80 A
    - 最大功率耗散 (TA = 25 °C):
    - N通道: 1.24 W
    - P通道: 1.10 W
    - 热阻抗 (RthJA): 130°C/W 至 170°C/W
    - 静态特性
    - 开启状态下的漏源电阻 (RDS(on)):
    - N通道: 在VGS = 4.5 V时为0.090 Ω,在VGS = 2.5 V时为0.110 Ω,在VGS = 1.8 V时为0.130 Ω
    - P通道: 在VGS = -4.5 V时为0.155 Ω,在VGS = -2.5 V时为0.190 Ω,在VGS = -1.8 V时为0.220 Ω
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):
    - N通道: ≤5 μA
    - P通道: ≤5 μA
    - 动态特性
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - N通道: 1.25 nC 至 2 nC
    - P通道: 1.2 nC 至 1.8 nC
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)):
    - N通道: 15 ns 至 25 ns
    - P通道: 18 ns 至 30 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):
    - N通道: 25 ns 至 40 ns
    - P通道: 15 ns 至 25 ns

    产品特点和优势


    FDG6320C-VB 的显著特点是其高效的开关速度和出色的温度稳定性。其采用的TrenchFET技术使其能够在1.8 V栅极电压下正常工作,这对于低功耗应用尤为重要。此外,该器件通过RoHS认证,并符合无卤素标准,适用于对环保要求高的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDG6320C-VB 在便携式设备中的负载开关是一个典型的应用案例。例如,智能手机和平板电脑中的电池管理系统需要高性能的MOSFET来实现高效电源管理。FDG6320C-VB凭借其出色的低导通电阻和快速开关性能,非常适合此类应用。
    使用建议
    - 为了确保最佳性能,建议在选择驱动电路时使用合适的栅极电阻 (Rg),以限制开关瞬态电流。
    - 在设计散热系统时,考虑到其热阻抗(RthJA)较高,可以考虑增加散热片或者使用热管等辅助散热措施。

    兼容性和支持


    FDG6320C-VB 设计用于与多种便携式设备和电路板兼容。制造商提供详细的技术支持和文档,包括数据手册、应用指南和故障排除文档,帮助用户轻松集成到其现有系统中。

    常见问题与解决方案


    问题1: 在高频切换过程中出现过热现象。
    解决办法: 可以考虑使用外部散热器或增加散热片,以改善散热效果。
    问题2: 开关过程中产生较大的噪声。
    解决办法: 在电源输入端加入滤波电容,减少电源纹波,同时确保栅极驱动信号稳定。

    总结和推荐


    FDG6320C-VB 是一款高性能、低功耗的N通道和P通道MOSFET,特别适合便携式设备的负载开关应用。其优良的热稳定性和快速的开关性能,使其成为电子设计工程师的理想选择。强烈推荐在各种便携式和高可靠性应用场景中使用此产品。

FDG6320C参数

参数
最大功率耗散 1.17W;0.97W
Vds-漏源极击穿电压 25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 800mA
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 2nC@ 4.5V
FET类型 N+P沟道
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDG6320C厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDG6320C数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDG6320C FDG6320C数据手册

FDG6320C封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4774
库存: 183
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.38
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336