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ZVN4525GTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,0.64A,RDS(ON),1490mΩ@10V,1788mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 14M-ZVN4525GTC SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN4525GTC

ZVN4525GTC概述

    ZVN4525GTC-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVN4525GTC-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电子设备中。这款电子元器件具备表面贴装(Surface mount)特性,可实现高精度和高效的电能转换。主要功能包括动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关能力和并联使用方便。这些特性使其广泛应用于汽车、工业控制和电源管理等领域。

    2. 技术参数


    以下是ZVN4525GTC-VB的技术规格和性能参数:
    - 最大耐压 (VDS): 250V
    - 静态漏极-源极击穿电压 (VDS): 250V
    - 门极-源极阈值电压 (VGS(th)): 2.0V - 4.0V
    - 门极-源极漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 零门电压漏电流 (IDSS): 25μA @ 250V, 250μA @ 200V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.0Ω @ VGS = 10V, ID = 0.47A
    - 输入电容 (Ciss): 140pF @ VGS = 0V, VDS = 25V
    - 输出电容 (Coss): -42pF
    - 反向转移电容 (Crss): -9.6pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 8.2nC @ ID = 2.7A, VDS = 200V
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 1.8nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 4.5nC
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 7ns @ VDD = 125V, ID = 2.7A
    - 上升时间 (tr): 7.6ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 16ns
    - 下降时间 (tf): 7.0ns
    - 内部引脚电感:
    - 漏极引线电感 (LD): 4.0nH
    - 源极引线电感 (LS): 6.0nH
    - 雪崩能量 (EAS): 50mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR): 0.79A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 0.31mJ
    - 最大功耗 (PD): 3.1W
    - 热阻 (RthJA): -60°C/W @ PCB安装
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C to +150°C

    3. 产品特点和优势


    ZVN4525GTC-VB MOSFET具有以下几个显著特点:
    - 快速开关能力:能够在低电压下实现高速开关,减少能量损失。
    - 动态dv/dt额定值:确保在高电压变化率下仍能稳定工作。
    - 重复雪崩额定值:能够承受多次重复的雪崩事件,增强了耐用性。
    - 并联使用方便:通过简单的驱动要求和易于并联的特点,提高了系统设计的灵活性。
    - 高可靠性:具有高耐压和低温系数,能够在极端环境下可靠工作。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:ZVN4525GTC-VB 可以用于电动汽车的电机控制器,工业自动化系统的电源管理模块,以及各类高频开关电源设备。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,应注意散热问题,特别是在高功率应用中,应选择合适的散热器或采用高效的PCB布局。
    - 确保驱动信号的稳定性,避免因驱动不稳定导致的开关损耗增加。
    - 根据具体应用需求调整驱动电阻(Rg),以优化开关时间和效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ZVN4525GTC-VB 支持标准的SOT-223封装,可以与市面上多数标准尺寸的PCB相匹配。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供全方位的技术支持,包括详细的使用手册、样本和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET发热严重,影响使用寿命。
    - 解决方案:增加散热片或改善PCB散热设计,例如增加铜箔面积或使用散热良好的基板材料。
    - 问题2:开关频率过高导致能耗增加。
    - 解决方案:降低驱动电阻(Rg),优化电路设计,以减少开关损耗。
    - 问题3:频繁出现雪崩现象,损坏MOSFET。
    - 解决方案:检查电路保护措施,确保足够的瞬态保护装置,如TVS二极管,以吸收瞬间能量。

    7. 总结和推荐


    总体而言,ZVN4525GTC-VB MOSFET是一款高性能、多功能的产品,特别适合需要高可靠性和快速响应的应用场景。其快速开关能力、重复雪崩额定值以及易于并联的特点使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在需要高效、高可靠性电源管理和控制系统中使用此产品。

ZVN4525GTC参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVN4525GTC厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN4525GTC数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZVN4525GTC ZVN4525GTC数据手册

ZVN4525GTC封装设计

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