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FTX15N35G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W 350V 8Ω@10V,200mA 200mA SOT-89-3
供应商型号: FTX15N35G SOT-89
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
ARK MICRO/成都方舟微电子 场效应管(MOSFET) FTX15N35G

FTX15N35G概述


    产品简介


    FTX15N35G 是由ARK Microelectronics Co., Ltd. 生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的平面技术制造,具有高可靠性、快速开关速度等显著特点,广泛应用于各种高效电源管理系统,如SMPS(开关模式电源供应)、适配器/充电器以及主动功率因数校正等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DSS} \): 350 V
    - 最大静态漏源导通电阻 \( R{DS(ON)} \): 15 Ω (在 \( V{GS}=10V \),\( ID=200mA \) 条件下)
    - 栅源击穿电压 \( V{GSS} \): ±20 V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 \( ID \): 2 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 0.6 A
    - 功耗和热阻
    - 最大功耗 \( PD \): 1.0 W
    - 热阻 \( R{\theta JA} \): 125 K/W
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{ISS} \): 32.58 pF (在 \( V{GS}=0V \),\( V{DS}=25V \) 条件下)
    - 输出电容 \( C{OSS} \): 5.36 pF
    - 反向传输电容 \( C{RSS} \): 0.75 pF
    - 开关时间
    - 开启延时时间 \( t{d(ON)} \): 14 ns
    - 上升时间 \( t{rise} \): 10 ns
    - 关闭延时时间 \( t{d(OFF)} \): 24 ns
    - 下降时间 \( t{fall} \): 36 ns
    - 存储温度范围: -55℃ 至 150℃
    - 封装类型: SOT-89
    - 合规性: 符合RoHS标准,无卤素材料

    产品特点和优势


    1. 先进工艺技术: 采用自主开发的平面技术,确保了器件的高可靠性和稳定性。
    2. 快速开关速度: 具备出色的开关速度,适用于需要高速响应的应用场合。
    3. 高温适应性: 能够在-55℃至150℃的宽广温度范围内正常工作。
    4. 环保设计: 符合RoHS标准并提供无卤素版本,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高效率SMPS: 在高效率电源管理模块中,FTX15N35G可以有效提高系统的整体能效。
    - 适配器/充电器: 适合作为手机或其他便携设备充电器的核心部件,以实现高效的能量转换。
    - 主动PFC: 在电力系统的功率因数校正应用中,确保系统运行在高功率因数状态。
    使用建议
    - 散热设计: 由于热阻较大(125 K/W),需特别注意器件的散热设计,确保在高功率工作时能有效散热。
    - 驱动电路设计: 为了获得最佳的开关性能,建议使用合适的栅极驱动电路,避免电压振铃现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品可与其他常见的适配器、充电器及电源管理系统兼容。
    - 支持服务: ARK Microelectronics Co., Ltd. 提供技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保器件在高功率下的稳定工作?
    - A: 通过有效的散热设计和合理的驱动电路设计,保证器件能在高温环境中稳定工作。

    - Q: 该器件在高频率应用中的表现如何?
    - A: FTX15N35G 的高开关速度使其适用于高频应用,但在设计时需注意输出电容和反向传输电容对系统性能的影响。

    总结和推荐


    FTX15N35G 是一款高性能的N沟道MOSFET,具备出色的开关性能和宽温适应性。它非常适合用于高效率电源管理和充电设备中。考虑到其优异的性能和高可靠性,我们强烈推荐这款产品给需要高效、可靠的电源管理系统的客户。

FTX15N35G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 350V
Id-连续漏极电流 200mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 1W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω@10V,200mA
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
通用封装 SOT-89-3
应用等级 工业级

FTX15N35G厂商介绍

ARK Micro(Ark Micro Technologies)是一家高科技公司,专注于研发和生产高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统,如智能家居、工业自动化和汽车电子。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力等多种类型的传感器,广泛应用于环境监测、健康医疗和消费电子产品。
3. 无线通信模块:如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等,用于实现设备间的无线连接和数据传输。
4. 电源管理芯片:为各种电子设备提供高效、稳定的电源解决方案。

ARK Micro的产品广泛应用于以下领域:

- 消费电子:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
- 工业控制:包括自动化生产线和智能制造系统。
- 汽车电子:如车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。
- 医疗设备:如便携式监测设备和远程医疗系统。

ARK Micro的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案。
- 质量控制:严格的生产和测试流程,确保产品的高性能和可靠性。
- 快速响应:快速响应市场变化,及时提供技术支持和产品更新。

FTX15N35G数据手册

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ARK MICRO/成都方舟微电子 场效应管(MOSFET) ARK MICRO/成都方舟微电子 FTX15N35G FTX15N35G数据手册

FTX15N35G封装设计

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