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DMD4523E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: DMD4523E TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ARK MICRO/成都方舟微电子 场效应管(MOSFET) DMD4523E

DMD4523E概述

    # DMD4523E 耗尽型功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    DMD4523E 是由ARK Microelectronics Co., Ltd. 生产的一款耗尽型(通常开启)功率 MOSFET。这款 MOSFET 具备高性能的电源管理和快速响应速度,适用于多种电子应用场合。
    主要功能
    - 恒定漏极电流(最大 3.75A)
    - 高耐压能力(最高 450V)
    - 快速开关特性
    - 过电流保护和过电压保护功能
    应用领域
    - 瞬态保护
    - 启动电路
    - 转换器
    - 正常开启开关
    - LED 驱动电路
    - 电源供应
    - 电流源和电压源

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数符号 | 参数描述 | 最大值单位 |
    |
    | VDSX | 漏极到源极电压 | 450 V |
    | VDGX | 漏极到栅极电压 | 450 V |
    | ID | 持续漏极电流 | 3.75 A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | 15 A |
    | PD | 功率耗散 | 36 W |
    | VGS | 栅极到源极电压 | ±20 V |
    | VESD | 栅极到源极 ESD | 3000 V |
    | TL | 焊接温度 | 300°C |
    热特性
    | 参数符号 | 参数描述 | 单位 |
    |
    | RθJC | 结到壳体热阻 | 3.47 °C/W |
    电气特性
    - 关断特性
    - BVDSX:漏极到源极击穿电压 450 V (VGS=-10V, ID=250µA)
    - IDS(OFF):漏极到源极泄漏电流 ≤1 µA (VDS=450V, VGS=-10V)
    - 导通特性
    - RDS(ON):静态漏极到源极导通电阻 ≤2 Ω (VGS=0V, ID=1A)
    - VGS(OFF):栅极到源极截止电压 -1.7 ~ -4.0 V (VDS=3V, ID=8µA)
    - gfs:前向跨导 3100 mS (VDS=5V, ID=1A)
    - 动态特性
    - CISS:输入电容 ≤1.11 pF (VGS=-7V, VDS=25V, f=1.0MHz)
    - COSS:输出电容 ≤62.80 pF
    - CRSS:反向转移电容 ≤6.54 pF
    - QG:总栅极电荷 ≤158.82 nC (VGS=-6V~0V, VDD=25V, ID=200mA)
    - QGS:栅极到源极电荷 ≤58.26 nC
    - QGD:栅极到漏极(米勒)电荷 ≤50.55 nC

    产品特点和优势


    DMD4523E 在多个方面具有显著的优势:
    - 高可靠性:符合RoHS标准,无卤素设计,确保长期使用的可靠性和环保性。
    - 高耐压和电流处理能力:最高耐压450V,持续漏极电流可达3.75A,适合高电压和大电流的应用。
    - 快速开关特性:低电阻和快速开关时间,使得它能够在高频率下高效工作。
    - 简单易用:仅需一个器件即可实现过电流和过电压保护,降低了电路设计的复杂度。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 瞬态保护电路:
    - 如图7所示,在电容负载和通信设备的电路中,DMD4523E 可以有效地抑制瞬态冲击,并提供过电流保护。只需一个耗尽型 MOSFET 和一个限流电阻即可实现。
    2. 过电压和过电流保护电路:
    - 如图8所示,通过选择合适的齐纳二极管 VD1,可以获得稳定的输出电压 Vout。同时,DMD4523E 还能在较高电压下提供过电压保护和瞬态冲击抑制。
    使用建议
    - 电路设计注意事项:为确保最佳性能,应考虑在高频应用中降低栅极驱动电阻,以减少开关损耗。
    - 散热管理:由于该器件的最大功率耗散为36W,因此在高负载条件下必须采取有效的散热措施,如加装散热片或使用风扇。

    兼容性和支持


    DMD4523E 采用标准的 TO-252 封装,易于与其他电子元器件集成。ARK Microelectronics Co., Ltd. 提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免因过高的栅极电压而导致的损坏?
    - 解决方案:应严格遵守绝对最大额定值的规定,不要让 VGS 超过 ±20V 的限制。

    2. 问题:如何确定合适的栅极电阻值?
    - 解决方案:根据应用的具体要求选择适当的栅极电阻值。通常情况下,电阻值应足够小以保证快速开关,但也不宜过小以免增加栅极驱动损耗。

    总结和推荐


    综合评估
    DMD4523E 是一款出色的耗尽型功率 MOSFET,具备出色的性能和多种应用优势。它不仅具有高可靠性和耐用性,还能够在高电压和高电流条件下稳定运行。
    推荐使用
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用 DMD4523E 作为各种电子应用中的核心组件。无论是瞬态保护还是电源管理,它都能表现出色,值得信赖。

DMD4523E参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252

DMD4523E厂商介绍

ARK Micro(Ark Micro Technologies)是一家高科技公司,专注于研发和生产高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统,如智能家居、工业自动化和汽车电子。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力等多种类型的传感器,广泛应用于环境监测、健康医疗和消费电子产品。
3. 无线通信模块:如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等,用于实现设备间的无线连接和数据传输。
4. 电源管理芯片:为各种电子设备提供高效、稳定的电源解决方案。

ARK Micro的产品广泛应用于以下领域:

- 消费电子:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
- 工业控制:包括自动化生产线和智能制造系统。
- 汽车电子:如车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。
- 医疗设备:如便携式监测设备和远程医疗系统。

ARK Micro的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案。
- 质量控制:严格的生产和测试流程,确保产品的高性能和可靠性。
- 快速响应:快速响应市场变化,及时提供技术支持和产品更新。

DMD4523E数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ARK MICRO/成都方舟微电子 场效应管(MOSFET) ARK MICRO/成都方舟微电子 DMD4523E DMD4523E数据手册

DMD4523E封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 23.5
50+ ¥ 22.325
500+ ¥ 18.8
1000+ ¥ 17.625
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